硅的正向导通电压（硅二极管的正向导通电压约为 v）
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用示波器测硅二极管正向导通电压只有0.2,请问原因?
1、要看你给定的正向导通电流是多大，这是可以发生的。严格的说，二极管特性曲线是一个指数函数，任何电压下都可以有电流的，只不过是大小不同而已。想要测量正向导通电压，必须指定测量“电流条件”，只有电流在mA级的时候，硅管的导通电压才是0.7V左右。
2、首先，一种简单的方法是使用万用表测量硅二极管的正向和反向电阻。正常的硅二极管在正向电阻较小（几十欧姆至几百欧姆）而反向电阻很大（几个兆欧至几百兆欧）的情况下，可以认为该二极管工作正常。若正向电阻极大或反向电阻极小，则可能是二极管损坏或短路。
3、这是与二极管材料有关的，硅材料二极管导通电压需要0.6-0.7V，锗材料二极管导通电压为0.2-0.3V，这是固定的。做法：将二极管串入电路，这是测量二极管两端的电压，如果串入的是硅二极管那么两端电压就是0.65V左右、他们对地电压也是相差0.65V左右。
4、在低于开启电压时，二极管双向都不导通，也就无所谓单向导电性。二极管的单向导电性是说在正向开启电压之上，是其本质属性，不会变的。BYM26A是硅高速整流管，正向导通电压约0.7V，而图中的信号电压幅度仅0.2V，它处于不导通的状态。不过，不导通是相对的。二极管的结电容会使交流信号通过。
5、通常，正常的硅二极管的压降大约在0.2V左右。联合测试法：使用数字万用表和电源等进行二极管的联合测试，通过测量二极管的正向、反向电流和电压等参数，判断二极管的好坏。
二极管的导通条件是什么?
二极管导通条件是：给予正向电压，并且大于二极管的导通电压。二极管外加正向电压。外加反向电压无法导通的。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
二极管导通条件：直流电压给定，且大于二极管导通电压！0.7V是硅管的正向导通电压（锗管约为0.3V），导通后二极管两端的电压基本保持不变。二极管加外部直流电压（外部反向电压不能导通）增加的直流电压必须大于二极管的死区电压。
条件：1》正向导通。2》正向电压大于0.7V（硅管）。
二极管正向导通的条件大于死区电压。正确的连接方向：连接二极管时，必须将正极连接到电源的正极，而将负极连接到电源的负极。电压必须大于正向偏压：在外加电源的作用下，二极管的正极电压必须大于二极管的正向偏压电压，才能导通。
正极到负极的电压大于0.7V，普通的二极管就可以导通，发光二极管一般要2V--3V才能导通。
二极管的导通条件是：有正向电压，正向电流超过死区电流。反向是截止的。也就是说，即便在导通状态，反向也是截止的。你可以用个反向高电压（高于正向电源即可）直流模拟交流反向尝试。
硅型晶体管发射结正向导通电压为0.7vβ=100临界放大饱和三极管压降0.3v...
.8-0.7）/10=0.01 0.01X100=1 1X10=10 12-10=2 所以管子工作在放大状态。
工作中的三极管，基极和发射极间的电压硅管约0.7伏，锗管约0.3伏；放大区的电压为：电源电压减0.7伏（硅管），（锗管减0.3伏）；饱合区电压硅管小于0.7伏，锗管小于0.3伏。
三极管导通后，有一放大效应，集电极电流Ic=β*Ib，这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子，也就是自由电子，在适当的外界电压条件下，造成的多子的自由扩散，形成的电流。
偏置电路，而C极电压来自（一般是）负载。是两路不同的电压。而在饱和或深度饱和的情况下，C极电压会低（高）于基极电压，所以判为临界饱和。e中，三极管基极＋3V，e极为0V，基极电压已大大超越（射极）导通所需的门坎电压而不通（通时射极电压应为硅3V，锗7V，所以判为BE开路。
