晶闸管通态电压（晶闸管的通态平均电压有几个等级）
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什么是晶闸管的通态压降?
晶闸管的通态压降即导通状态，通过额定电流时，A，K之间的电压。VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。
就是晶闸管导通时的管压降，通态峰值电压就是晶闸管导通且通过峰值电流时的管压降。
代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V，比如原来电压为10V通过二极管后下降为5V左右，正向是指二极管有方向性，正向导通，反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同。言制造晶闸管时，希望在额定电流下，器件的通态压降能够小一些。因为这和器件在通态工作时发热联系在一起的。
指在晶闸管通过单相工频正弦半波电流，额定结温、额定平均电流下，晶闸管阳极与阴极间电压的平均值，也称之为管压降。在晶闸管型号中，常按通态平均电压的数值进行分组，以大写英文字母A～I表示。通态平均电压影响元件的损耗与发热，应该选用管压降小的元件来使用。
导通的条件：晶闸管阳极加正电压、阴极加负电压；门极有正向控制电流。晶闸管导通后门极不起作用，电压与电流都由外电路决定。
晶闸管的通态电流和阻断电压是什么
1、通态电流就是晶闸管通以半波正弦交流电情况下的平均电流值。一般就是指晶闸管额定电流 阻断电压是（此情况下晶闸管不导通但也不损坏的所加电压）最大阻断电压就是晶闸管额定电压。
2、电流 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。
3、晶闸管的工作原理：当在晶闸管的阳极与阴极之间施加反向电压时，两个PN结均处于反向偏置状态，因此晶闸管处于阻断状态。然而，当在这两个PN结中，中间的PN结施加正向电压时，该结会处于反向偏置，导致晶闸管不会导通，这种状态称为阻断状态。
晶闸管的主要参数有哪些
1、为了正确选用晶闸管元件，必须要了解它的主要参数，一般在产品的目录上都给出了参数的平均值或极限值，产品合格证上标有元件的实测数据。 （1）断态重复峰值电压UDRM 在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，其数值比正向转折电压小100V。
2、耐压 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
3、KP50-300晶闸管是一种高压、高功率的晶闸管，主要用于交流电源控制、电机控制、电炉控制等领域，参数有额定电压3000V，额定电流50A，最大正向导通电压8V，最大反向阻断电压3000V，最大正向导通电流50A，最大正向导通电压降8V，最大反向漏电流10mA，最大正向导通功率5000W。
4、晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
5、单向晶闸管主要参数有额定正向平均电流，导通维持电流，门极触发电压，正向阻断峰值电压，反向阻断峰值电压。单向晶闸管可以根据其管脚的外形判别法和万用表进行识别。识别方法如下：外形判别法：利用单行晶闸管的外形结构特点来判别其引脚的极性。
