nmos电压（nmos电压特性曲线）
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NMOS晶体管为什么不能承受过大的电压?
因为当沟道被夹断后，继续增加漏源电压（漏极接正端）会使得漏极附近与衬底的耗尽层变宽，导致夹断点逐渐步向源端移动，这时漏端产生的电场会收拢夹断点的电子，形成电流，这个电流和单个pn结反偏时的饱和电流相似，在一定程度上增长的很慢，直到发生击穿。
所以nmos传输高电平有阈值损失。（漏端想传递源端的电压，但在漏端电压Vd=VDD－VTH时nmos管截止，电压不会再升高，所以存在阈值损失。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
MOSFET，全称为功率场效应晶体管，拥有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）三个基本极。它的主要优势在于热稳定性优良，能够承受较大的安全工作区。然而，MOSFET的缺点在于击穿电压较低，且工作电流容量相对较小。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管晶体管逻辑电路不兼容。在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
当然会了，电器产品在设计之初，都会有自己有效使用年限，在超出最佳环境的情况下使用，会加快老化。
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
在MOS管的导通过程中，电压电流的变化曲线可以清晰地描绘出从截止到导通的全过程。
阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。控制方法不同。（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。（2）、增强型必须使得UGSUGS（th）才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。
cmos截止电压的定义是什么
1、CMOS截止电压是指在CMOS器件中，MOSFET的截止阈值电压，即栅极电压低于该值时，MOSFET处于关闭状态，导电能力非常低。 对于N型MOSFET（NMOS），截止电压是指栅极与源极之间的电压（Vthn）。当栅极电压低于Vthn时，NMOS处于关闭状态，几乎不导电。
2、当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时，情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快电路的开关速度。
3、电路结构CMOS反相器电路如图7-1（a） （b）所示它由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD（UTN+|UTP|）。
4、CMOS工艺基石：互补效应CMOS，通过n沟道MOS管和p沟道MOS管的巧妙结合，实现了互补性工作。当输入为高电压（1），n沟道导通，p沟道截止，形成0（低电压）输出；相反，当输入为低电压（0），p沟道导通，n沟道截止，输出为1（高电压）。这种设计不仅使得能耗极低，还确保了信号的精确转换。
5、CMOS 输出状态：- 高电平（HIGH）：当CMOS输出处于高电平时，输出电压接近供电电压（Vcc）；通常为接近Vcc的正电压。- 低电平（LOW）：当CMOS输出处于低电平时，输出电压接近地电平（GND）；通常为接近GND的零电压。在 CMOS 电路中，输出主要通过 PMOS 和 NMOS 晶体管来控制。
6、动态功耗 动态功耗包括：开关功耗或称为反转功耗、短路功耗或者称为内部功耗；开关功耗：电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所消耗的功耗。
nmos跟pmos有什么区别?
1、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
2、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
3、pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。
