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逻辑电平是什么

1、表示数字电压的高、低电平通常称为逻辑电平。要了解逻辑电平的内容，首先要知道以下几个概念的含义：1：输入高电平（Vih）：保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平，当输入电平高于Vih时，则认为输入电平为高电平。

2、逻辑电平，表示数字电压的高、低电平通常称为逻辑电平。

3、逻辑电平：是指一种可以产生信号的状态，通常由信号与地线之间的电位差来体现。

4、所谓的逻辑电平就是数字电路规定的一些电平标准。比如，有TTL电平，TTL电平等等。数字电路只有0，1，但是真实的电平只有超过或者小于某个值才认定为0或者1。所以才制定些标准。

5、逻辑电平通常用于数字电路中，通常使用高电平和低电平来表示两种不同的状态。在实际应用中，逻辑电平的数值可能会因电路的设计和器件的选择而有所不同。一般来说，高电平（通常为逻辑“1”）通常表示有信号或逻辑状态的存在，而低电平（通常为逻辑“0”）表示信号或逻辑状态的缺失。

芯片测试之VOL/VOH

芯片测试的精髓在于确保其功能的精确性和可靠性，其中VOL/IOL和VOH/IOH功能测试扮演着至关重要的角色。它们旨在保障在各种负载条件下，芯片IO管脚的输出电平能够稳定地符合规格要求，体现芯片性能的卓越品质。

VOH是指输出引脚为逻辑1时的最小电压值。电路输出通常会带有负载或者驱动下一级的输入，VOH/IOH参数测试是为了检验DUT引脚在规定的电流条件下，输出电压是否可以按要求保持逻辑1的状态。

VOH/VOL测试的目的是检查器件在指定电压下输出电流的能力。输入端在施加规定的电平信号下，使输出端位逻辑高/低电平时的电压。VCC通常位规定范围的最小值，测试使用IFVM（加恒流测电压）方式，对于VOH测试，在输出端抽取规定范围的IOH，其余输出端开路，同时测量该输出端的电压VOH。

连通性测试检查管脚连接是否正常，排除测试机和芯片问题。DC参数测试关注芯片在静态和动态条件下的电流或电压，保证其性能符合规格。IDD测试则关注电源pin的短路和静态功耗，动态功耗测试模拟工作场景下的电流。

输出高电平（Voh）：保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值，逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此Voh。4：输出低电平（Vol）：保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值，逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此Vol。

V LVCMOS和3V LVCMOS在高低电平的定义上也存在差别，同时输入信号和输出信号定义的高低电平标准也不一样，例如3V LVCMOS标准，输出高电平定义为Voh=2V，而Vol=0.1V，输入高电平定义为Vih=0V，而Vil=0.7V。

芯片测试介绍(二)

1、连通性测试检查管脚连接是否正常，排除测试机和芯片问题。DC参数测试关注芯片在静态和动态条件下的电流或电压，保证其性能符合规格。IDD测试则关注电源pin的短路和静态功耗，动态功耗测试模拟工作场景下的电流。

2、芯片测试准备：在进行芯片测试之前，需要对测试设备进行准备和校准，包括测试仪器、测试程序、测试环境等。同时，还需要对芯片进行清洁和处理，以确保测试的准确性和稳定性。 芯片测试方案设计：根据芯片的特性和测试需求，设计测试方案，包括测试的方法、测试的参数、测试的步骤等。

3、芯片错误类型多样，如制造缺陷（如Stuck At Faults）、Stuck Open/Short Faults等。测试方法涉及电流测量，如IDDQ测试，它能有效发现漏电问题，如图5所示的IDDQ测试示例。测试覆盖率与优化 如图3所示，通过精确的测试向量和覆盖率计算，确保每个电路路径被充分检验。

4、芯片ESD测试-HBM测试详解 人体模型（HBM）是表征人体静电损伤及半导体器件ESD敏感度的标准模型。人体在走动或摩擦中积累静电，当接触IC时，静电通过IC引脚释放，对IC内部组件造成损伤。ESD测试电压标准根据人体模型（HBM）制定，不同电压等级对应不同放电电流。

5、最终测试（FT）FT测试在封装后进行，测试硬件包括handler（类似机械臂抓取芯片）和load board（芯片承载基板）。测试项目广泛，如检查引脚状态、直流参数、嵌入式flash性能、逻辑功能验证等。此外，还包括可靠性测试，如ESD抗扰度、高温/低温工作寿命等，通常借助ATE自动化设备进行。

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