mos的击穿电压（mos击穿后状态）

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MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS4V只是开启条件,要达到9V才能...

1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。MOS管的导通是一个过程，你需要仔仔细细看一下模电书，好好温习一下Ugs（th）的定义。

2、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。

3、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

4、你说的恒流区是指的饱和区吧，MOS管的线性区又叫三极管区，在这个区域里工作时，MOS器件的导通电阻很小，算是低阻状态，常用作开关的导通态。当其工作于饱和区时，由于漏电流与栅电压的线性关系，常用作信号放大使用。

5、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

6、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

MOS管的参数怎么读懂

1、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。

3、从单一功能的集成稳压器件和DC/DC转换器，到整合了DC/DC、LDO、电池充放电管理、PWM控制器、节能控制、功率MOSFET等多功能的电源管理IC，电源IC的应用范围和功能不断扩展。

4、要想看懂图纸首先你得具备电子元件基础常识，就是认识这些元器件，二极管 三极管 MOS管 电阻电容电感 芯片等，了解这些元器件外观、作用和工作原理，常用型号以及这些元器件在电路图中的标注符号，这是基础，没有这些你是无论如何也不会看懂电路图的。

5、例如，OPA336内部巧妙地使用PMOS和NMOS差分输入级，实现轨到轨功能，通过互补的MOS管工作在正负电源轨之间。早期，这种技术常通过PMOS和NMOS的并联来实现，现在也有新型运放采用自调零技术来降低输入失调电压，提高精度。然而，输出轨到轨运放并非总是完美的，输出到轨电压受到饱和电压和MOS管压降的制约。

MOS管有两个参数BVdss和Vds这两个参数的区别?使用时如何注意这两个参数...

1、BVdss是源漏击穿电压，使用的时候注意不要超过这个电压。在选购的时候需要注意的是，通常BVdss越大，沟道的电阻也大，所以不要选远远超过你要求的，不然你的功耗会浪费掉。Vds就是普通的源漏电压，通常用画在Ids-Vds图上。

2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

3、MOS管与三极管和IBGT的比较，揭示了MOS的独特优势，如高速开关、电压控制，以及在开关速度和控制方式上的不同。在成本和应用场合上，MOS管更适应高频高速和电流敏感的环境。最大额定参数/ VDSS：最大漏源电压，要考虑温度影响，需查阅静电学特性。

4、雪崩击穿特性参数包括单次脉冲雪崩击穿能量（EAS），MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量。EAS计算公式为：EAS = 1/2*L*I*I[V（BR）DSS/（V（BR）DSS-VDD）]（EAS=雪崩能量，L=电感值，I=电感峰值电流，BVDSS=雪崩击穿电压，VDD=电源电压）。IAR是雪崩电流，EAR是重复雪崩击穿能量。

5、该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。

6、封装：TO-263 总长度：16mm 本体长度：8mm 宽度：2mm 高度：7mm 脚间距：28mm ASE60N10特征：低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的门电荷：Qg=141nC（典型值）。

MOSFET主要参数什么意思?

1、电力场效应管，即电力MOSFET，拥有多种关键参数，它们在决定器件性能和应用范围上起着至关重要的作用。除跨导Gfs、开启电压UT、td（on）、tr、td（off）和tf之外，还有几个核心参数需重点关注。首先，漏极电压UDS（漏极电压定额）是电力MOSFET电压能力的指标。

2、静态参数：稳健的基石V（BR）DSS（漏源击穿电压）： 漏源间电压超过此值，电流会急剧增加。△V（BR）DSS/△Tj（温度系数）： 温度变化对击穿电压的影响，正温系数需谨慎处理。RDS（on）（导通阻抗）： 低阻值代表更好的开关性能，但会随温度上升而增大。

3、影响MOSFET在缓启动和防反接应用中效率的主要指标包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷和优值系数、额定电流和功率耗散。电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。

4、金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

5、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，其特点是由金属栅极、绝缘氧化物层和半导体通道组成。MOSFET的源极（source）和漏极（drain）在结构上是对称的，均可作为N型或P型半导体形成。

6、Mosfet的参数power dissipation，指的是该元件在正常工作状态下，当外部散热条件良好时，它能够安全处理的最大功率转换成热量的能力。具体到310W这个数值，它意味着在理想的散热条件下，该Mosfet能够稳定地消耗或转化为热量的功率上限是310瓦特。

关键词：mos的击穿电压