mos管gs电压（mos管gs电压超规格怎么解决）
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mos管哪个参数决定了驱动能力
1、Vgs： 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds（on）相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。Vgs 如果没有驱动时候超过这个电压就会损坏MOS管了。
2、动态参数包括跨导（gfs），它是漏极输出电流变化量与栅源电压变化量之比，量测时，GMP越高表示控制能力越强。跨导用Gm表示，单位为S（西），1S等同于1/Ω。Qg是栅极总充电电量，MOSFET驱动过程为栅极电压建立，通过栅源及栅漏之间结电容充电实现。
3、在选择MOS管时，有几个关键参数需格外关注。
MOS管的开启电压是什么,是指G极的电压吗。。。如果是哪需要多少V_百度...
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。
开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。
开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
mos管的gs最大反向电压
V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
