lvpecl电压（pelv电压什么意思）

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PECL/CML/LVDS高速接口互连电路设计

1、【PECL/CML/LVDS高速接口互连电路设计详解】本文着重讲解了PECL/CML/LVDS这三种高速接口在硬件连接方面的详细设计。首先，LVPECL与LVPECL之间连接可通过直流或交流耦合。直流耦合时，利用电阻分压网络模拟50Ω负载，计算出R1和R2的具体值；交流耦合则需保证共模电压稳定，根据供电电压选择合适的电阻。

2、PECL接口：起源于ECL，简化了负电源，适合高速数据传输。输出结构包含差分对和射随器，具有低阻抗和高驱动能力，但需注意负载匹配以防止信号振铃。输入结构为高阻抗差分对，有不同的偏置选项。 CML接口：简单高效，信号摆幅小，功耗低，特别适合高频环境。

3、CML接口：简单中的高效CML的输入结构同样紧凑，如MAX3831/3832的特性在表二中清晰展现。 LVDS：低功耗与灵活性的结合LVDS以其小摆幅、低功耗和宽电压范围，成为点对点传输的优选。

【转】差分晶振LVPECL、LVDS、CML和HCSL输出模式介绍

SiT9102， SiT9002， and SiT9107差分驱动器支持多种高速信号类型，包括LVPECL（电流模式逻辑），LVDS（低电压差分信号），CML（电流模式逻辑），和HCSL（高电流差分逻辑）。这些输出模式的关键在于正确的端接，以实现最小反射、信号完整性和电磁兼容性。

CML的单端输出可达0.4V，差分输出为800mV。CML电平分析强调终端并联匹配，以确保50Ω单端和100Ω差分阻抗的一致性。然而，CML没有统一的标准，供应商的规范各异，因此在使用时务必参照芯片手册进行精确匹配。

SIT9102属于SiTime差分晶振老型号了，目前对应新型号是SIT9121。

输入多路复用；两个通用输入运行频率高达5GHz，支持LVPECL、LVDS、CML、SSTL、HCSL或单端时钟；单个晶振输入支持10至40MHz的晶振或单端时钟。在使用GM5528作为低抖动1525MHz时钟源时，LVPECL输出附加抖动：51fs RMS （12KHz至20MHz）。

什么是pcml电平?

1、pcml是一个用于超高速接口的微分标准。 pcml在输入缓冲区两者之间的需要3V的 ccio和100 -的终端电阻。此外，每个输入痕量需要50 - 电阻至V TT，每个输出的痕量需要1 00- 电阻至V TT。要求不必输入参考电压。

2、CML电平的信号是差分信号，而LVTTL是单端信号。如果要连接需要弄一堆转换电路。所以基本上认为不得行。CML与LVPECL比较，都可以是用在高速信号上的。CML一般芯片集成匹配电路了，不需要外部匹配，所以很多芯片时钟接收都是CML电平。而时钟BUFFER（Pricom、IDT公司的）为了更高的驱动能力很多是用的LVPECL电平。

3、ECL：（EmitterCoupled Logic）即射极耦合逻辑，是带有射随输出结构的典型输入输出接口电路 CML： CML电平是所有高速数据接口中最简单的一种。其输入和输出是匹配好的，减少了外围器件，适合于更高频段工作。

4、Integrated Circuits.+++++I/O电平标准：1 单端标准 LVTTL LVCMOS 静态功耗低，不适用于高速（150MHz）电路中，以地作为参考。2 差分标准 LVDS LVPECL CML LVDS满常用的。

在LVPECL电路中,经常看到VBB=VCC-1.3V,想知道怎么得出来的

例如我们知道，当负载是50 Ω接到VCC-2 V 时，LVPECL 的输出性能是最优的，因此考虑的电阻网络应该与最优负载等效；LVDS 的输入差分阻抗为100 Ω，或者每个单端到虚拟地为50 Ω，该阻抗不提供直流通路，这里意味着LVDS输入交流阻抗与直流阻抗不等，电阻值的选取还必须根据直流或交流耦合的不同情况作不同的选取。

差分技术:LVDS、MLVDS、CML、LVPECL的区别与应用场景

1、LVPECL信号一个优点是具有清晰尖锐和平衡的信号沿，以及高驱动能力。缺点是功耗相对较高以及有时需要提供单独的终接电压轨。CML与LVPECL技术能实现超过10Gbps的高数据率，为了实现这样高的数据率，必须采用速率极高、边缘陡直（sharp edge）的数据信号，摆幅一般约800mv，也因此它们的功耗超过了LVDS。

2、为了支持LVDS的多点应用，即多分支结构和多点结构，2001年新推出的多点低压差分信号（MLVDS）国际标准ANSI/TIA/EIA 8992001，规定了用于多分支结构和多点结构的MLVDS器件的标准，目前已有一些MLVDS器件面世。 LVDS技术的应用领域也日渐普遍。

LVTTL标准有关于电压的标准

1、在计算机内存技术中，DDR内存采用了一种特别的电压标准，即SSTL2。这种标准支持的电压为5V，相较于DDR内存，对于一些较为传统的SDRAM内存，其电压标准有所不同，它采用了LVTTL，工作在3V的电压水平。

2、在电子设计中，TTL（Transistor-Transistor Logic）是一种传统的逻辑电平标准，其典型电压范围为Vcc=5V，有严格的电平规范：VOH=4V，VOL=2V，VIL=4V，VOL=2V，VIL=2V，VOL=7V，VIL=0.7V）。LVTTL主要应用于高速芯片，使用时需查阅芯片手册确认具体参数。

3、LVTTL又分3V、5V以及更低电压的LVTTL（Low Voltage TTL）。3V LVTTL： Vcc：3V；VOH=4V；VOL=0.4V；VIH=2V；VIL=0.8V。5V LVTTL： Vcc：5V；VOH=0V；VOL=0.2V；VIH=7V；VIL=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。

4、lvttl是电平标准。DDR内存采用的是支持5V电压的SSTL2标准而对于比较老一些的SDRAM内存来说它支持的则是3V的LVTTL标准。常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS23RS485等，还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。

5、LvTTL接口是一种数字电平标准，是一种标准逻辑器件输入或输出的电平标准，其中Lv代表电平，TTL即Transistor-Transistor Logic，是指采用晶体管作为开关元件的数字电路逻辑。LvTTL接口的输入输出可以接受TTL电平范围内的信号电平，其满足0-5V的电压范围，直接接入TTL器件不会损坏。

6、TTL/LVTTL： TTL逻辑是基于晶体管的，通常逻辑“1”对应4~5V（发送）和2~5V（接收），逻辑“0”对应0~0.5V（发送）和0~0.8V（接收）。LVTTL则有不同Vcc电压下的具体标准。

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