当pn结外加正向电压（当pn结外加正向电压时,在pn结内参与导电的是）

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PN结上为什么加正向电压可以导通?

1、PN结加正向电压时，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。

2、由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。

3、当PN结外加正向电压时，外电场的方向与内电场相反，外电场削弱了内电场，使阻挡层变薄；当外电压继续增强时，会使阻挡层完全消失，PN结开始正向导通，形成PN结正向电流；当正向电压继续加大（0.7V），电流急剧增加，若不加限制，将烧毁PN结。

4、所以，一定数值的正电压抑制内电场，形成电流剧增，导通pn结。

PN结外加正向电压作用下,内电场是削弱吗?

是 由于电子和空穴的扩散作用，P区的空穴和N区的电子相互扩散。因为失去正电荷空穴，P区为负，因为失去负电荷电子，N区为正。

【答案】：PN结具有单向导电性关键在于有内电场。在外加正向电压作用下，削弱了内电场，PN结变窄，有利于多子扩散，所以正向电流大，容易导电。在反向电压作用下，外加电场与内电场方向相同，PN结变宽，不利于多子扩散，有利于少子漂移。但因少子数量少，所以反向电流很小。

pn结工作原理：如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。

1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变()

1、耗尽层将变窄。根据查询相关公开信息显示，PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。PN：是指公称压力，用在管道及管道配件、阀门等壳体设备的压力表示上。

2、平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等，加正向偏压后，正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区，自建电场的电压方向相反，等于削弱了自建电场，空间电荷区势垒降低，扩散电流超过了漂移电流，使PN结导通。随着正向电压的增大，空间电荷区长度缩短，势垒变低，电压变低。

3、当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

PN结加正电压时,空间电荷区为什么变窄?

PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄是因为：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。

PN结加正向电压，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。即P区接正极，N区接负极，由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。

空间电荷区在不加正向电压的时候，是由于P型的空穴与N型的电子复合产生的区域，在PN结的边界处，P区空穴复合，留下了不能自由移动的负电荷，N区电子复合，留下了不能自由移动的正电荷，这个内电场的方向与外部正向电压相反，所以增加正向电压会使得空间电荷区变窄。

电荷区会变窄。在二极管的PN结中，P区和N区之间形成了空间电荷区，其中P区中的空穴和N区中的自由电子发生复合，形成了一个带电区域。当二极管加上正向电压时，P区的正电荷和N区的负电荷会被外加电场所吸引，从而使空间电荷区变窄。

当P型半导体加上直流电源的正极、N区加上直流电源的负极时，电源的电场与内建电场方向相反，就抵消了阻挡层对多数载流子扩散的阻挡，使得多数载流子的扩散更容易进行，就称为阻挡层变窄。对于二极管来说，就是“正向导通”。

加正向偏置，即P接正，N接负。P中多子空穴和N中多子电子都向PN结移动。空穴进入PN结后，中和了部分负离子，使P空间电荷量减少。电子进入PN结后，中和了部分正离子，使N区电荷量减少。这样，PN结就变薄了。同时，耗尽层也会变薄，耗尽层内载流子数增加，电阻减小，导电能力增强。

当pn结外加正向电压时什么运动超过内电场

1、PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄是因为：PN结外加正向电压，此时外电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，削弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，漂移运动减弱，由于电源的作用。扩散运动将源源不断地进行，从而形成正向电流，PN结导通。

2、pn结在未加电压前，就有扩散运动，且扩散运动在pn结两边形成内电场，该内电场抑制扩散运动，从而达到扩散平衡。此时，你加入正向电压（而不是电流），达到一定的数值将抑制内电场，内电场重新变化， 电荷带变小， 扩散运动又加强， 此时扩散运动突然增大导致电流剧增，该电流为导通电流。

3、PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反。

4、P型半导体是在半导体中添加三价元素，因此硅原子外层缺少一个电子形成稳定结构，就形成空穴。N型体是在半导体中添加五价元素，因此硅原子外层多一个电子形成稳定结构。当PN结外加正电压时，外电压与内电场方向相反，是多子（电子）的扩散运动大于少子（正电荷）的漂移运动，故外电路形成由P-N的电流。

5、当PN结外加反向电压时，内外电场的方向相同，在外电场的作用下，载流子背离PN结运动，结果使空间电荷区变宽，耗尽层会（变宽）变大。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层将变窄。

6、PN结加正向电压时，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对电子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。PN结呈现低阻性。 PN结加反向电压时，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。