齐纳二极管击穿电压（齐纳二极管 电流）

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二极管的击穿原理是什么,齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别?

两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。

击穿的原理就是电场强度（能量）达到一定程度，使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。回复楼下：别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！实际上掺杂浓度决定了击穿类型。

齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

齐纳二极管简介

齐纳二极管是由美国物理学家Clarence Melvin Zener发明的，他首次描述了齐纳二极管的反向击穿特性。齐纳二极管被重度掺杂以降低击穿电压，这导致了一个非常薄的耗尽区域，因此在耗尽区域内存在一个强电场。在齐纳击穿电压（VZ）附近，电场的强度足以将电子从其价带中拉出来并产生电流。

齐纳二极体，英文名Zener diode，又称为稽纳二极管，是一种特殊的电子元件，它的独特之处在于利用了二极管在反向电压下的齐纳击穿效应。这种击穿现象使得齐纳二极体具备了稳定的电压控制能力，因此它也被称为稳压管。

齐纳二极管，一种特殊的二极管，因其独特的稳压特性而得名。它在正常工作状态下，即反向电压未达到临界值时，呈现出极高的电阻特性，使得电流几乎无法通过。然而，当反向电压达到一定程度，即所谓的反向击穿时，二极管的电压保持在一个相对稳定的水平，尽管此时电流显著增加。

齐纳二极管是一种特殊的二极管，其工作原理和特性使其在电路设计中发挥重要作用。它由P型和N型半导体融合的PN结构成，区别于普通二极管在于其高掺杂度，这使得它在正向和反向偏置条件下都能导电。齐纳二极管的工作原理基于其反向偏置特性。

齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数

1、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

2、杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

3、当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。

4、齐纳击穿多发生在掺杂浓度较高的PN结中。较高的掺杂浓度使得空间电荷区电荷密度大，宽度较窄，只需较小的反向电压即可建立强电场，引发齐纳击穿。两者区别在于电压范围和温度系数。

5、称为雪崩击穿。雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低，小于6V，具有负温度系数。

二极管齐纳击穿为什么不大的反偏电压就能形成强大的内电场?

1、当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

2、在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。

3、齐纳击穿则是当反向电压达到一定值时，势垒区内能建立起强大的电场，直接将价电子从共价键中释放出来，产生大量的电子-空穴对，从而形成较大的反向电流，实现击穿。齐纳击穿多发生在掺杂浓度较高的PN结中。

二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?

1、雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。

2、PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

3、与雪崩击穿相比，齐纳击穿所需的电压较低，因此，齐纳击穿电压远小于雪崩击穿电压，使得齐纳二极管（稳压管）在电压稳定应用中具有优势。