晶体管电压放大（晶体管电压放大器设置静态工作点的目的是）

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电压放大器电压放大倍数与哪些因素有关?

晶体管放大器电压放大倍数取决于：输入、输出电阻。反馈形式及反馈量。信号频率及放大器带宽。 晶体管直流电压放大倍数。运算放大器电压放大倍数取决于：运放的开环增益。反馈量。电压放大器是提高信号电压的装置。

差模放大倍数与信号源内阻，运放差模输入阻抗，运放输出阻抗，负载阻抗有关，有负反馈回路时，还与反馈系数有关。放大电路对差模输入电压的放大倍数称为差模电压放大倍数，用Ad表示，即Ad= △Uo/△UId。而放大电路对共模输入电压的放大倍数称为共模电压放大倍数，用Ac表示，即Ac= △Uo/△UIe。

比值关系来源：源电压放大倍数是输出电压与电压源的比值；电压放大倍数是输出电压与输入电压的比值。内阻影响：源电压放大倍数与电压源的内阻存在一定影响；电压放大倍数与电压源的内阻Rs无关。

放大器的电压放大倍数是在负载电阻增大时增大。放大器的电压放大倍数取决于输入、输出电阻，反馈形式及反馈量，信号频率及放大器带宽，晶体管直流电压放大倍数等因素。

共射放大器的电压放大倍数Av=-βRL`/rbe，放大倍数Av取决于一下几个因素：三极管的共射电流放大系数β。基极偏置电流，因为该电流决定了rbe，Ib大，rbe小。集电极负载电阻RL`，RL`=Rc//RL。由于加了负载RL后导致RL`的下降，导致Av下降。

集成运算放大器主要由输入、中间、输出三部分组成。输入部分是差动放大电路，有同相和反相两个输入端；前者的电压变化和输出端的电压变化方向一致，后者则相反。中间部分提供高电压放大倍数，经输出部分传到负载。

三极管饱和、截止、放大时各有什么特征?

三极管在饱和状态时，其特征表现为基极对发射极呈现正偏，导致集电极和发射极之间的电压（CE电压）变得非常低，通常不超过0.5V。而在放大状态时，三极管的基极对发射极同样是正偏，此时集电极和发射极之间的电压大约为电源电压的一半。

三极管放大与饱和，特征是基极对发射极为正偏，饱和时，CE间电压较为接近，一般在0.5V以下；放大时CE间电压大约在1/2电源电压左右。三极管的截止特征：基极对发射极反偏，CE间电压接近（或等于）电源电压。

三极管放大状态下的特点 要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：01V 以上，UBE0，UBC0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。

截止状态：在PNP三极管中，当发射极与基极之间的电压Ueb小于0.7伏（对于锗管来说是小于0.3伏）时，三极管处于截止状态。这意味着发射结是反偏的。 放大状态：在这种状态下，发射极与基极之间的电压Ueb大于0.7伏，而集电极与基极之间的电压Uec大于发射极与基极之间的电压Ueb。

NPN晶体管处于放大状态时,各极电位Vb,Vc,Ve正确关系是?

总体而言，NPN晶体管在放大状态下的正确电压关系为VcVbVe。这种电压分布确保了晶体管能够有效放大电流，实现信号放大和传输的目的。理解这一电压关系对于掌握晶体管的工作原理和应用至关重要。

对于NPN型三级管，基极电流（IB）通过控制射极电流（IC）实现放大功能，射极电位最低。正常放大时，集极电位最高，即 VC VB VE。电流只与射极相关。在放大状态下，VB VE VC。在饱和状态下，IB*β IC（max），VB VE。而在截止状态，VB VE。

NPN三极管和PNP三极管的工作原理如下：NPN三极管：Vb Vc Vb Ve（放大状态）Vb Ve， Vb Vc（饱和状态）PNP三极管：Vb Ve（截止状态）Vc Vb “V”表示电压。为了便于理解，以下是正电子-空穴；负电子-自由电子的对应关系。

可以用晶体管的三个极之间的电位关系来判断：在共发射极接法时，NPN管的VbVcVe时，晶体管就处于饱和工作状态。

是不是指的晶体管的集电极和发射极？晶体管分p（阳极）区和n（阴极）区当p区电压大于n区电压时是正偏，反之就是反偏。

怎么根据晶体管的电压判断放大状态、截止状态和饱和状态?

如果电压小于0.6V，为截止状态；如果电压等于或略大于0.7V，再测CE间电压：如果CE电压大于1V，为放大状态。如果CE电压小于1V，为饱和状态。

放大：三极管的导通状态介于截止和饱和之间。图中电路三种状态的简单判断，主要看Uo电压。截止状态，三极管不导电，Uo电压约等于Vcc。饱和状态，三极管完全导通，Uo电压只等于三极管ce压降，约0.3左右。放大状态，就是Uo电压值介于两者之间。

截止状态、放大状态、饱和导通状态。截止状态：当加在晶体管的发射结的电压小于PN结的导通电压时，基极电流为零，此时晶体管处于截止状态。在这种状态下，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。

晶体管的放大倍数和输入电阻的关系是什么?

Rc越大，电压放大倍数越大、输入电阻不受影响、输出电阻越大。Ri越大，电压放大倍数越小、输入电阻越小、输出电阻不受影响。静态工作点中电流越大，电压放大倍数越大、输入电阻越小、输出电阻不受影响。但静态工作点太大或太小容易导致三极管进入饱和或截止。

晶体管电压放大倍数等于晶体管的输出电压与输入电压之比，而输出电压又等于输出电流乘以输出电阻。输出电阻=晶体管的本征输出交流电阻||负载电阻（即等于并联的等效电阻）。所以，晶体管的放大倍数与输出电阻有关。如果输出电阻不变，则放大倍数也不会变化。

现在用的放大器中，一般都加有深度负反馈。这样，放大器的放大倍数主要取决于反馈系数，与三极管的电流放大倍数没有多大关系。从放大器的电压放大倍数来看：电流放大倍数越大，电压放大能力越大，但三极管的输入电阻也越大，总的电压放大倍数并没有很明显的变大。

在晶体管共射极单管放大器中，几个关键参数对放大器的性能有着显著影响。首先，Rc（负载电阻）的大小直接影响电压放大倍数。当Rc增大时，电压放大倍数会相应提升，但输入电阻保持不变，输出电阻则随之增加。这表明，更大的Rc可以提供更高的电压放大，但可能影响输出信号的稳定性。

在晶体管共射极单管放大器中，Rc、Rl以及静态工作点对电路性能有着显著影响。首先，Rc（集电极电阻）的增大将直接提升电压放大倍数，但不会影响输入电阻，反而会使得输出电阻增加。这表示，随着Rc的增大，放大器能放大信号的幅度提高，但可能对负载的匹配要求更高。

关键词：晶体管电压放大