半导体硅导通电压（硅半导体原理）
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在半导体中导通电压与开启电压有啥区别
1、在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。
2、开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。
3、其实你的理解有误，不是发射极与集电极之间加多大电压都不会导通，记得在晶体管的极限参数中有一个BVCEO指的就是基极开路的情况下集-射极之间能承受的最大电压，超过这个值集-射极之间就会击穿而永久导通了。
4、半导体材料。半导体开启电压是指二极管在正向导通时二极管两端的电压，这个电压的产生是由于PN结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，PN结势垒高度不同，则开启电压也就不一样。
5、那个Ube是三极管的导通电压，三极管的Ube两端大于导通电压时才能工作，这个Ube如果题目没有说明的话，就默认为0.6（有的书上会说明默认为0.7），硅和锗的导通电压（又叫开启电压）不同，锗三极管的开启电压是另外的值。理论原理：晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
硅管的导通电压是多少?为什么?
正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。
导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。
导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V。正向电阻不同硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。热稳定性不同硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。材料不同硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。
这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。
硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
如何判断三极管的导通状态?
1、导通状态当三极管处于放大状态时，Uce的数值是比较大的，而在饱和状态下，这个值大概只有0.3-1V作用的样子。
2、Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。
3、集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。PNP三极管：基极与发射极间负向偏置：使得基极与发射极之间的电压为负，并且小于一定的电压阈值（通常约为-0.7V）。
npn硅三极管的开启电压是多少
硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。
饱和状态时（开关状态）集电极电压为-5V，基极电压为-3V，发射级电压为-8V。放大状态与截止状态时不能确定。
①、关于以上的万用表上那“NPN”与PNP的区别问题是这样的，比如说，NPN型三极管属于硅三极管，此三极管的导通压降为0.5-0.6V，所以当NPN硅插入管座内组成的三极管放大电路b和e极导通电压为0.5-0.6V，此时，被插入的这NPN硅三极管与此座内组成一个三极管放大电路这样即可测量出该三极管的放大倍数。
硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
在简单的共发射极电路中，对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态，当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。
截止状态：在NPN三极管中，当发射极与基极之间的电压Ube小于0.7伏（对于锗管来说是小于0.3伏）时，三极管处于截止状态。这意味着发射结是反偏的。 放大状态：在这种状态下，发射极与基极之间的电压Ube大于0.7伏，而集电极与基极之间的电压Uce大于发射极与基极之间的电压Ube。
PN结导通后的电压是多少?不是PN结的导通电压
根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。
PN结在正向电压情况下导通，但不是理想的开关，上面会有0.7V左右的电压。
B、导通电压：由公式做出伏安特性曲线，可知，因为Is特别小，所以当V不是很大的时候，I仍是很小的值；当V较大时，I的变化才明显起来。所以工程上定义导通电压Von。认为：当VVon时，二极管导通，I有明显变化；当V硅的导通电压：0.6~0.8V 锗的导通电压：0.2~0.3V。
