场效应管驱动电压是（场效应管驱动电流多少）
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场效应管5V驱动12V直流电机问题?
1、V控制电压过低，MOS管可能不完全导通，会造成MOS管过热损坏；一般这个电压可选在10-12V左右。此电路中可以用5V控制信号通过三极管或运放电路等把12V电压加到G极来控制MOS的导通。至于电机功率，要看你MOS管的散热条件，条件足够好的话，控制到20-30A的电流没问题。
2、v直流电机驱动，电流小于3A可以使用l298N，电流小于43A可以使用BTS7960。L298N芯片配有双H桥电机驱动器，每个H桥可提供2A电流，电源部分的电源电压范围为5-48v，逻辑部分为5v电源，并接受5vTTL电平。通常情况下，电源部分的电压应大于6V，否则芯片可能无法正常工作。
3、设计一个buck变换器，将输出接到直流电机两端，通过控制buck的占空比和平均输出电压，间接实现对转速的控制。因为buck变换器的MOS管工作在开关状态，比线性电位器消耗的能量要小。
4、你好：——★额定电压 48 V ，选择管子的耐压最低应该是额定工作电压的 2 倍，所以，使用大于、等于 100 V 的场效应管即可。——★电动机的启动电流是额定电流的 5 ～7 倍，如果电动车的额定负载电流为 15 A ，那么管子的额定电流应该是 105 A 以上，才能可靠地运行。
5、PWM信号经过光电耦合器P521隔离，以防止主电路的高压对控制电路产生干扰，随后驱动场效应管。 场效应管进一步驱动直流电机。由于电机的电感等特性具有滤波作用，电机接收到的实际电压是脉冲电压的平均值。 通过改变PWM信号的脉冲宽度，可以调整电机接收到的电压平均值，进而控制电机的转速。
6、一点问题都没有。你现在用ULN2003，可以提供0.5A的电流给控制端，我个人觉得控制端0.5A的电流还不够吗？如果你用的是直流电机，最好考虑用L298N驱动，最大电流可以达到2A。用三极管或者场效应管都是可以的，搭个乙类推挽就是了。350mA不算什么。
场效应管的驱动电流·电压是多少
1、驱动门限电压2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。
2、场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
3、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的内阻非常低，通常在40mΩ左右，能够支持高达20A的导通电流。一些高性能的MOSFET内阻可降至4mΩ，从而能够承载80A的导通电流。 在普通MOSFET中，10A的电流产生的电压降大约为0.4V，这对于许多负载来说可能影响不大。
4、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
5、场效应管驱动电压在10～15伏，最高电压为15V。稳压管稳压的电路如图a所示，R为限流电阻，现用一只结场型场效应管代替，如图b所示。零栅压工作，由场效应管的输出特性曲线可知，当UDS下降时IDS变化并不多，仍能保证稳压管的工作电流。场效应管稳压能用于串联型稳压电路。
6、N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件，其主要参数如下：首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。
场效应管g极供电是多少伏
具体要求一般是：栅极（G）与源极（S）之间的电压高于开启电压（Ugs（th），场效应管的datasheet里面有，一般是2-4V），又小于8V左右时，漏源电压（UDS）小于漏源击穿电压（BUDS）时，场效应管可以工作在饱和区。截止区的条件就很简单了，只要Ugs小于开启电压即可。
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
当然重要，超过此值会导致栅极击穿损坏场效应管。
这要看你这个管是干什么的了。如果是放大器，偏置分压有3--4v便行。如果是开关电路，在开时G极所加的控制电压要在15V以上。但不要大于19V。
v，55A的管子，要可靠地开与关，栅极最好用16v的控制电压，但不要超过18v。
场效应管电压
场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
场效应管稳压允许压降10～15伏。场效应管驱动电压在10～15伏，最高电压为15V。稳压管稳压的电路如图a所示，R为限流电阻，现用一只结场型场效应管代替，如图b所示。零栅压工作，由场效应管的输出特性曲线可知，当UDS下降时IDS变化并不多，仍能保证稳压管的工作电流。场效应管稳压能用于串联型稳压电路。
场效应管的主要参数包括：输入电阻、输出电阻、转移电阻、夹断电压、跨导、最大漏极电流、最大耗散功率、最大栅极电压和漏极-源极击穿电压等。输入电阻：这是衡量场效应管栅极对信号电压控制能力的一个重要参数。输入电阻越大，说明栅极对信号电压的控制能力越强，即栅极电压的变化对漏极电流的影响越大。
V。根据查询场效应管工作原理得知，场效应管控制极电压是9V。场效应（晶体）管，是一种利用场效应原理工作的半导体器件，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功率小、易于集成等特点。
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。直流参数 饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
