mos管尖峰电压（mos管开关瞬间会有尖峰）
本文目录一览：
- 1、设计开关电源时,开关管的耐压(VDS)如何取值?
- 2、MOSFET管的漏极电压的尖峰问题
- 3、mos管电容尖峰电压频率是多少正常
- 4、MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压
- 5、mos管尖峰计算公式
设计开关电源时,开关管的耐压(VDS)如何取值?
1、Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压，才不会有击穿的危险。
2、工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70 nS（纳秒）左右。这几个条件满足了，基本没问题。
3、电阻与电压**：静态漏源导通电阻（RDS（ON）在VGS=10V时典型值为0.3Ω，最大值为0.4Ω，栅源电压（VGS）范围可达±30V，显示了良好的导电性能和电压兼容性。开关特性**：输入电容（Ciss）为3520pF，二极管反向恢复时间（trr）为530nS，这些参数共同决定了其快速的开关性能。
4、根据整流后的电压和输入电流参数，选择IRF840为高频开关管，其最大耐压VDS为500V，最大能承受的导通电流ID为8A，满足设计要求。
MOSFET管的漏极电压的尖峰问题
在MOSFET的漏极和源极上并联一个电容（无电阻，仅电容），调整电容值，直到尖峰谐振频率降低到原来的二分之一。
其中，漏极/源极击穿电压（BVDdss）是一个关键参数，它指示了MOSFET在正常工作条件下的耐压能力。例如，当Vgs=0V，Id=250uA时，BVDdss的最小值为650V。但值得注意的是，当温度达到150℃时，BVDdss的值会增加到700V。
尖峰电压超出功率。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率，MOSFET的下桥漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩故障破坏。
mos管电容尖峰电压频率是多少正常
1、.1MHz到数十MHz。MOS管电容尖峰电压频率与具体的MOSFET元件参数以及外围电路元器件参数相关，频率范围在0.1MHz到数十MHz，MOSFET的输入电容主要是通过设备的栅极电容产生的，其具体大小受到器件的结构、工艺和封装等多种因素的影响。
2、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
3、MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。
4、尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。
5、必须确保不超过MOS管的额定电压范围，以保证其正常工作和寿命。请注意，瞬时电压或电压尖峰（如过电压）可能会对MOS管产生不希望的影响，因此在设计电路时，还需要考虑电压的波形和幅度，以确保MOS管不受损坏。有时，为了应对这些瞬时电压，还会在电路中添加保护元件，如二极管、TVS二极管等。
6、反激上的开关管的尖峰包括两部分，一部分是主管关断，副边二极管导通时，由副边输出电压根据匝比折算到原边的反射电压。另一部分是主管开通时，由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。
MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压
MOS管在承受过大电流时，由于电流过载，导致芯片内部的温度急剧升高，使得芯片内部的结构和联系因热应力而出现微小的损坏，这些微小的损坏会使得MOS管的电压突然反转，出现尖峰电压。
尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。
尖峰电压不是mos管本身产生的，是电感产生的，关断时电感上的电流不能突变，就会产生反峰电压，一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、电容器和功率转换设备（如变速驱动器）是产生尖峰电压的主要因素。
反激上的开关管的尖峰包括两部分，一部分是主管关断，副边二极管导通时，由副边输出电压根据匝比折算到原边的反射电压。另一部分是主管开通时，由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。
mos管尖峰计算公式
mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。根据查询相关公开资料显示：mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间没有电流，平均值很小，如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
用功率和效率算出初级电流的峰值，然后以峰值电流乘以这个电阻得到电压（一般用一个小的RC来消电压尖峰），这个电压有一些芯片是1V，也就是说你的峰值电流乘以这个电阻为1（视芯片而定）。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下，MOS晶体管处于稳定状态，此时电流继续流经器件。
