稳压管雪崩电压（稳压管例题讲解）
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稳压二极管的击穿方式可分为齐纳和雪崩,据书上记载雪崩击穿为不可恢复...
雪崩稳压二极管产生高频振荡的工作原理是：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。
普通的二极管反相击穿分为，热击穿（齐纳击穿），雪崩雪崩击穿两种，热击穿后，是能自己恢复的，雪崩击穿后不可逆，长时间热击穿也可能会导致不可逆。稳压二极管则是利用反相击穿的特点来进行稳压，长时间工作在反相击穿状态，但是也有最大反相电压，超过仍能导致二极管的损坏。
稳压管是否允许工作在正向导通状态
1、正常情况下稳压管是工作在反向击穿状态，低于6V为齐纳击穿，高于6V为雪崩击穿。稳压管在正向工作状态的稳压值在0.7V左右，也就是普通二极管的正向压降，与普通二极管没有区别。
2、不对，稳压二极管一般工作于反向击穿状态。如果你仔细观察二极管的I-V曲线，就会发现在反向加电压的时候，刚开始加电压没有反应，只有微弱的反向饱和电流。当达到反向击穿电压的时候，电流激增。在这个时候电压增加一点点电流会有数量级上的变化。稳压二极管就是利用二极管的这部分特征工作的。
3、首先，从工作原理上看，普通二极管必须在正向导通状态下工作，不能在反向状态下工作。如果添加的反向电压超过其反向击穿电压值，将对普通二极管造成不可逆转的破坏。而稳压二极管则必须在反向击穿状态下工作，且在反向击穿时不会造成永久性故障。
4、稳压二极管处于正向导通状态，Uo=0.7v，稳压电路无法正常工作。2：如果UUz，稳压二极管不工作 Uo=U*RL/（R+RL）3：如果限流电阻R=0，如果UUz，稳压二极管不工作，U=Uo，稳压电源无法正常工作。如果UUz，稳压二极管处于击穿区，由于限流电阻等于R=0，二极管将被烧毁。
5、稳压管实际上是工作在反向击穿状态的、特制的二极管，所以等效电路上的 D1 就是表示稳压管从正极到负极是正向导通的二极管。如果稳压管工作在正向导通状态就是二极管， 电流通过 D1 支路 ，D2 支路截止 。
电磁兼容(EMC):雪崩击穿与齐纳击穿的区别
1、两者区别在于电压范围和温度系数。在电压低于5-6V时，齐纳击穿占主导地位，稳压值的温度系数为负；而在电压高于5-6V时，雪崩击穿更常见，稳压管的温度系数为正。在5-6V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳，这也是许多电路选用此电压范围稳压管的原因。
2、齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
3、性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。
4、总结来说，雪崩击穿和齐纳击穿是两种不同的击穿机制，分别对应于不同的半导体材料和掺杂浓度。在实际应用中，需要根据具体的需求和条件选择合适的半导体器件和击穿机制。
5、发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。
6、齐纳击穿和雪崩击穿的主要区别在于它们发生的位置、机理以及特点。首先，从发生位置上看，齐纳击穿主要发生在低电场强度下，特别是在掺杂浓度较高的PN结中，由于阻挡层较薄，只需较小的反向电压就能引发强电场，进而发生击穿。
