vce电压（VCE电压掉电的原因及解决方法）
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稳压电源输出端标vce是什么意思
1、Vce就表示正输出电压。一般晶体管电路中经常用这种表示法。这里V就表示电压，c、e分别表示三极管的c、e极。因为在晶体管电路中大量使用分立元件，故这样表示。现在的电路设计几乎都是采用集成电路设计的，故集成电路构成的电路中一般都用Vcc来表示正电源电压或正输出电压。
2、晶体管稳压电源电路系统框图ce结间的电压就是 C极对地电压减去E极对地电压之差啊。Vce就是调整管上面的压降。
3、简单帮你解释下：Ve=Vb+Vbe，Vbe是指三极管BE之间的压降。这样看，如果Vb+Vbe恒定不变，则Ve恒定不变，这就是简单的稳压原理。意思是，只要保持三极管基极上有稳定的电压，则发射极也将有个稳定的输出，因此，我们就在三极管的基极上加一个稳压管来实现基极的电压恒定。
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5、上电后稳压二极管有电压，仍无显示，可除去外围一些插线，包括继电器线插 18V/1W 头、风扇线插头，查风扇、继电器是否有短路现象。、端上电后，稳压二极管两端电压为左右，用示波器检查的 PN18V/1W8VIC3845 输入端？脚是否有锯齿波，输出端？脚是否有输出。
6、具体如下：这种稳压电路的主回路由调整管T与负载相串联构成，且T工作在线性状态，故称为线性串联式稳压电路。输出电压Vo=VI-VCE，其变化量由反馈网络取样，并经放大电路（A）放大后去控制调整管T的基极电压，从而改变调整管T的VCE大小。
三极管中vbevce是什么意思
vbe为基级与发射级间电压；vce为发射级与集电极间电压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
Vbe是指三极管基极和发射极间的电压 Vce是指三极管集电极和发射极间的电压 Q代表静态工作点。Vbeq和Vceq就是静态工作点的基极-发射极电压和集电极-发射极电压。Vbeq一般约为0.7V。
基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
Vce——C、E间电压，sat——饱和（saturation），因此Vcesat指饱和时集电极-发射极之间的电压。同理Vbesat指饱和时基极-发射极之间的电压。
三极管导通C,E间的电压是多少
三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
NPN（饱和）：Vbe=0.7V，Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）：Veb=0.3V，Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。
NPN 三极管CE导通的条件是：Ube0.7V，UcUb ；PNP 三极管EC导通的条件是：Ueb0.7V，UbUc 。三极管看成是由两个二极管组成，放大状态的时候集电极是反偏，Ic是漏电流，反向通过PN结，发射极是正偏，电流正向通过PN结。若是在TTL电路中，三极管是以二极管原理来判断的。
没有说清楚；你说的直接导通了，什么意思，如果是三极管饱和导通了，正常情况下三极管饱和导通，C、E极之间的电压应该是0.3V左右，你测量过这个电压么？如果C、E极之间的电压是0V，那么就与三极管电路没任何关系，是你的描述有问题，即你的图与你描述的问题不相符。
一般在估算的时候，我们认为它是0.3V，这和实际情况基本一致。在实际电路中，虽然三极管参数存在有一定的离散性，基本不会大于这个值，有时还会小一点。
求三极管各极电压计算公式
1、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
2、下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
3、三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
光耦隔离电路的vce是什么意思
1、VCE就是输出端CE两端的电压，C=collector，E=emitter。
2、入出间隔离电压VIO：器件绝缘耐受的最大电压值。光耦分为线性光耦和逻辑光耦，前者用于线性信号比例传输，后者在开关状态下传递逻辑信号，工作原理类似于普通三极管的饱和放大状态。
3、光耦合器的主要技术参数包括发光二极管的正向压降（VF）、正向电流（IF）、电流传输比（CTR）、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极的反向击穿电压（V（BR）CEO）以及饱和压降（VCE（sat）。在数字信号传输中，上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等也是关键要素。
4、反向击穿电压V（BR）CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE（sat）：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。
5、电流传输比CTR：这是光耦最重要的参数，表示输入电流IF转换为输出电流IC的比例，通常以百分比表示，衡量了光耦的信号传输效率。绝缘电阻：输入级与输出级之间的绝缘性能，确保信号传输的隔离和稳定性。反向击穿电压V（BR）CEO和饱和压VCE（sat）：这两个电压参数是衡量光耦在极端条件下工作的可靠性。
