eeprom电压（eeprom_direct）
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24lc256中文名称是什么,在电路中的作用
1、LC256是256kbit（32kByte）的I2C接口串行EEPROM，工作电压5~5V，最高速率400kHz。EEPROM是一种可读可写的存储器，擦写次数远高于Flash存储器（比较耐用），一般适合用于存放数据量不大、读写较频繁的数据，如设备的配置信息等等。
2、SIM卡是一张符合GSM规范的“智慧卡”，可以插入任何一部符合GSM规范的移动电话中，实现“电话号码随卡不随机的功能”，而且通话费用自动计入持卡用户的账单上，与手机无关。
3、嵌入式（俗称小卡）SIM卡，其大小只有25mm×15mm，是半永久性地装入到移动台设备中的卡。“大卡”上真正起作用的是它上面的那张“小卡”，而“小卡”上起作用的部分则是卡面上的铜制接口及其内部胶封的卡内逻辑电路。目前国内流行样式是“小卡”，小卡也可以换成“大卡”（需加装一卡托）。
eeprom的基本单元电路结构是
eeprom的基本单元电路结构是当控制栅相当于漏极+21V电压时，由于电容耦合，浮栅上形成一个正电位，使隧道氧化层中的电场可达10^7V/cm以上，这样便会发生Fowler-Nordheim隧道效应，电子通过氧化层对浮栅充电。
闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。
EPROM的特点是存储内容可以通过特殊方法擦除并重新写入，其基本单元电路基于浮空栅雪崩注入式MOS（FAMOS）结构。这种电路由N型基片上的两个高浓度P型区构成，通过欧姆接触连接源极S和漏极D，栅极浮空在绝缘层上，通过电荷状态控制导通与截止，实现存1或0的表示。
闪存的基本单元电路也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。
eeprom是什么意思
1、EEPROM的意思 EEPROM，即电可擦写可编程只读存储器。详细解释如下：EEPROM定义 EEPROM是一种非易失性存储器技术，其核心特点是能够在不需要外部能源的情况下保存数据。与传统的一次性可编程只读存储器不同，EEPROM允许用户在设备生产后多次擦写和编程。
2、EEPROM，即电可擦除可编程只读记忆体，是一种电子存储装置，即使在无电状态下也能保持数据稳定。它的核心是浮栅电容，能以充电和放电状态表示逻辑位1或0。读取时，数据不被改变，而擦除和编程则是其主要操作：擦除会清除所有存储数据，重新编程则可写入新信息。
3、eeprom是电可擦可编程只读存储器的意思。以下为eeprom故障相关资料：输入输出存储器错误原因：输入输出存储器错误可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照SFF8472的相关协议来看EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。
