截止电压击穿电压（截止电压和击穿电压）
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双向tvs的封装格式有哪些?
⑥稳态功率P0：TVS管也可以作稳压二极管用，这时要使用稳态功率。⑦极间电容Cj：与压敏电阻一样，TVS管的极间电容Cj也较大，且单向的比双向的大，功率越大的电容也越大。瞬态抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。
瞬态电压抑制二极管的参数选择问题!
1、TVS二极管参数 4）结电容 TVS二极管的结电容一般在几十皮法至几十纳法。对于同一功率等级的TVS，其电压越低，电容值越大。在一些通信线路中，尤其要关注TVS的结电容。5）封装形式 TVS二极管的功率从封装形式上也可以体现，封装体积越小，其功率一般也越小，因为TVS管的芯片面积直接决定了TVS 的功率等级。
2、最大工作电压（VWM）：TVS管的最大工作电压是指在正常工作条件下，TVS管两端允许承受的最大电压。在选择TVS管时，应确保其最大工作电压大于电路中的工作电压。 击穿电压（VBR）：击穿电压是指TVS管在受到瞬态过电压冲击时，能够迅速导通并限制电压的电压值。
3、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
4、瞬态抑制二极管（TVS）是一种半导体材料制成的特殊二极管，主要应用在电源和信号电路的防护中。TVS的特性在于其响应迅速，能够在纳秒级别转换为低阻抗状态，吸收浪涌功率，保护电路不受侵害。其重要参数包括钳位电压（Vc）和最高工作电压（Vrwm）。
5、最大峰值脉冲功率：确定电路的干扰脉冲情况，根据干扰脉冲的波形、脉冲持续时间，确定能够有效抑制该干扰的TVS峰值脉冲功率。 所选TVS的最大箝位电压（VC）应低于被保护电路所允许的最大承受电压。 单极性还是双极性---双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合。TVS有时也用于减少电容。
6、TVS二极管选型，还是需要根据电路的保护需求来定。具体选型，可以多与从事电路保护器件的技术员沟通。
JFET的饱和区、可变电阻区和截止区分别对应什么电压条件?
可变电阻区： 当vDS较小，vGS处于VPvGS≤0的区间，vDS与iD的关系呈线性，沟道电阻基本不变，此时源-漏极间的电阻受vGS控制，称此区域为可变电阻区，常用于压控电阻应用中。 饱和区： 当VPvGS≤0且vDS≥vGS－VP，N沟道进入饱和区，iD基本恒定，受vGS控制，沟道电阻增加，线性放大时使用。
晶体管饱和状态在FET（包括JFET和MOSFET）中具有特定含义。FET作为电压驱动器件，在饱和状态时，电压较高，电流基本保持恒定。对于增强型n-FET，其饱和状态需满足栅电压大于阈值电压Vt。当源漏电压Vds达到Vgs减去Vt的程度，晶体管即进入饱和工作状态。
JFET的工作区域被划分为两个主要部分：**欧姆区**（VDS Pinch off voltage），电流随电压线性变化，类似标准电阻；而在**饱和区**（VDS Pinch off voltage），电流不再显著增加，电流增益减小，电流受电压影响减弱。
JFET基于输入栅极电压产生的电场，其结构有源极、漏极和栅极，分别对应电子流动、电流收集和电流控制。源极通常提供多数载流子，栅极电压则调节电流的通过程度。JFET分为N沟道和P沟道两种，它们的基本区别在于沟道材料和栅极材料的性质。N沟道JFET的栅极为N型，P沟道则相反。
击穿电压中击穿是什么意思
1、击穿的意思是PN结或者二极管从反向截止状态变成反向电压下通导状态。出现击穿现象的最低电压称为击穿电压。除了稳压二极管以外，其他二极管的反向电压一旦高于击穿电压，将面临损坏的危险。
2、击穿的意思就是，本来不应该有电流通过的地方，由于加在它两端的电压过高，导致它有了电流通过，并且是大电流通过。这种情况 就叫击穿 。我们经常能看到的，比如某一物体还没有接近高压电线，却在电线与该物体间产生一个放电拉弧现象。这钟现象就是最常见的“击穿”。被击穿的介质是空气。
3、击穿电压是指在一个电气设备或者材料中，当电场强度达到一定程度时，该设备或材料会被电击穿并被破坏的电场强度值。通俗地说，如果一个电器设备或者材料所能承受的电场强度超过了它的击穿电压，那么它就会被电击穿，发生故障。击穿电压的意义非常重要，它是电气设备和材料的重要性能参数之一。
