pn结的开启电压（pn结开启电压减小）

本文目录一览：

• 1、二极管里的开启电压,导通电压以及反向饱和电流具体是什么意思?
• 2、二极管的开启电压产生原因,受哪些因素影响?Thanks!
• 3、npn硅三极管的开启电压是多少
• 4、PN结的伏按特性有何特点?
• 5、PN结的单向导电性与普通金属相比较,哪个导电性更好
• 6、半导体开启电压与什么有关

二极管里的开启电压,导通电压以及反向饱和电流具体是什么意思?

导通电压以下，到0点之间的电压，叫“开启电压”，也叫“死区电压”二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

二极管的反向饱和电流，通常表示为 \（I_S\） 或 \（I_0\），在二极管处于反向偏置状态时，即阴极相对于阳极呈正电压时，指通过二极管的微小稳定电流。这个电流通常处于微安（μA）或纳安（nA）级别，其大小与二极管材料、结构以及温度相关。

在二极管中，当施加反向电压时，如果电压在某一范围内波动，电流并不会随之变化，而是保持稳定，这一稳定电流即为“反向饱和电流”。综上所述，二极管的饱和电流是反向电压在特定范围内变化时，通过二极管的电流保持不变的稳定值。这一特性在电子电路设计中具有重要作用。

反向饱和电流是发生在二极管中的由于施加电压产生的一种电流。二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。其他器件中也有类似的情况。其根本在于PN结的单向导电性。

二极管的开启电压产生原因,受哪些因素影响?Thanks!

1、这个电压的产生是由于pn结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，pn结势垒高度不同，则开启电压也就不一样：Ge二极管的开启电压约为0.6V，Si二极管的开启电压约为0.8V。掺杂浓度对于二极管的开启电压也有一定的影响（掺杂浓度越高，开启电压就越大），但是第二位的。

2、简而言之，二极管的开启电压是PN结内电场与外部电场相互作用的结果，只有当外部电场足够强大，才能打破内电场的束缚，让电子和空穴顺利迁移，实现导电。在PN结的工作原理中，动态平衡是关键。多子的扩散和少子的漂移两者相拮抗，直到达到一个稳定状态，二极管的电流特性才得以显现。

3、开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。就其伏安特性曲线来说 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

4、导通电压以下，到0点之间的电压，叫“开启电压”，也叫“死区电压”二极管中：如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好象通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

npn硅三极管的开启电压是多少

1、硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。

2、①、关于以上的万用表上那“NPN”与PNP的区别问题是这样的，比如说，NPN型三极管属于硅三极管，此三极管的导通压降为0.5-0.6V，所以当NPN硅插入管座内组成的三极管放大电路b和e极导通电压为0.5-0.6V，此时，被插入的这NPN硅三极管与此座内组成一个三极管放大电路这样即可测量出该三极管的放大倍数。

3、硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

PN结的伏按特性有何特点?

PN结的伏安特性：A、数学模型：I=Is（e^（v/vT）-1）说明：很好的描述了二极管的正反向特性，并且它应该是实验室测量二极管伏安特性曲线，经过数学建模而得到的式子，符合客观事实。

PN结的伏安特性（外特性）如图所示，它直观形象地表示了PN结的单向导电性。伏安特性的表达式为：式中iD为通过PN结的电流，vD为PN结两端的外加电压，VT为温度的电压当量， ，其中k为波耳兹曼常数（38×10-23J/K），T为热力学温度，即绝对温度（300K），q为电子电荷（6×10-19C）。在常温下，VT ≈26mV。

正向特性：当电压（u）为正，即正向偏置时，电流随着电压的增加而增加，二者之间呈现出一致的关系，如图所示。 反向特性：当电压为负，即反向偏置时，我们称之为反向特性。在这一阶段，如果反向电压小于某个特定阈值（U（BR），电流通常很小。

反向电流是衡量二极管反向特性的一个重要参数，反向电流大，管子性能差。当反向电压增加到一定数值时，外电场将半导体内被束缚的电子强行拉出来，造成反向电流突然剧增，这种现象称为反向击穿。一般手册中均给出最大反向击穿电压，注意使用时不要超过这个数值。

PN结的伏安特性伏安特性曲线展示了PN结在不同电压下的电流变化情况。温度升高时，正偏电流左移，反偏电流下移，反映出温度对伏安特性的影响。PN结的击穿特性 击穿现象通常发生在反向电压过高的情况下，分为齐纳击穿与雪崩击穿。

pn结正向伏安特性曲线的意义在于可以帮助我们了解PN结在正向偏置时的电流变化规律，为我们分析和设计半导体器件提供了基础。pn结是半导体器件中最基本的元器件之一，它由N型半导体和P型半导体构成，在两半导体间形成的结叫做PN结。而PN结正向伏安特性曲线是用来描述PN结在正向偏置时电流与电压的关系的曲线。

PN结的单向导电性与普通金属相比较,哪个导电性更好

1、肯定是金属的导电性要好啊，比如铜 铝之类的，因为PN结是存在开启电压的一般0.7v左右，相当于一个消耗了0.7v压降的电阻。而金属虽然也有压降但不明显。否则0.5号电池提供的电压是5v的话 用导线不会损失太多，如果连接一个PN结的话 会消耗掉0.7V。

2、PN结单向导电性特性显著，即在正向偏置时，允许电流通过；而在反向偏置时，限制电流传输。此特性与加在PN结上的偏置电压相关。具体，将P区域连接电源正极，N区域连接电源负极，即形成正向偏置状态，使得电子从N区域流向P区域，电流易于流通。PN结的形成基于半导体材料特性。

3、如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。

4、pn结的单向导电性特性：（1）区内正、负离子带电而不能移动，载流子因复合而数量很少，因此电阻率很离，故称耗尽层。（2）正、负离子形成的内电场阻止多予继续扩散，故又称阻挡层。（3）内电场对少子有吸引作用，形成少予的逆向运动，称为漂移。

5、研究PN结的单向导电性，不仅可以深入理解半导体物理学的基本原理，也为半导体器件的研发提供了关键的技术基础。总的来说，PN结的单向导电性是半导体领域中最重要的概念之一。通过对其物理原理的深入探究，我们可以更好地理解半导体器件的工作原理，并为未来的半导体技术发展提供技术支持。

半导体开启电压与什么有关

半导体材料。半导体开启电压是指二极管在正向导通时二极管两端的电压，这个电压的产生是由于PN结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，PN结势垒高度不同，则开启电压也就不一样。

昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。