阈电压（阈电压名词解释）
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阈值电压是什么意思?
1、阈值电压，这个概念在电子器件的描述中至关重要。它是输入电压与输出电流变化转折点的代表性值，具体表现为当输入电压改变时，输出电流会出现显著变化。例如，在讨论场发射器件时，电流达到10mA时的对应电压即为阈值电压。栅极材料的特性对阈值电压有直接影响。
2、阈值电压（Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。栅极的物质成分 栅极（gate）的物质成分对阈值电压也有所影响。
3、阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
4、vth是MOSFET器件上的阈值电压，它是指在引脚之间加入足够的电压时形成的通道。这种通道可形成一个连接源极和漏极的“管子”，使其在哪些情况下可以通过电流。vth值与MOSFET的制造过程有关，因此不同厂家的MOSFET可能具有不同的vth值。vth通常用于评估MOSFET的开启特性和指导其设计，以最大化其性能。
5、“阈值”是指电压的界限，超过会引起性质的突变，像三极管如果超过阈值电压就会引起反向电流的急剧上升甚至反向击穿。
6、在电气领域中，ISV是一种常见的术语。ISV的全称是Input Sensitivity Voltage（输入灵敏度电压），也称为触发电压或触发阈值电压。ISV是指输入电路所需的最小电压，以产生可靠的输出信号。ISV在电气领域中非常重要，因为它可以影响电路的性能和可靠性。如果ISV太高，电路可能无法正常工作或出现误操作。
什么是阈值电压
1、阈值电压是指电路中元器件或设备开始产生变化所需要的最小电压值。这是一个关键的电压参数，影响着电路的工作状态。具体来说，当施加的电压低于阈值电压时，电路不会响应或激活某些功能；只有当电压达到或超过这个特定值时，电路才会开始工作或改变其工作状态。
2、阈值电压 （ ）：通常将传输特性曲线中输出 电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为 阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于 空穴浓度的状态。
3、阈值电压，这个概念在电子器件的描述中至关重要。它是输入电压与输出电流变化转折点的代表性值，具体表现为当输入电压改变时，输出电流会出现显著变化。例如，在讨论场发射器件时，电流达到10mA时的对应电压即为阈值电压。栅极材料的特性对阈值电压有直接影响。
4、阈值电压是电子器件工作特性中的关键转折点，它标志了输入电压变化时，输出电流发生显著变化的点。在场发射器件中，当电流达到10mA时对应的电压被称为阈值电压。
5、阈值电压，简单来说，是一种电学概念，它就像是一个电学系统中的转折点。在电路中，当电压达到特定的阈值时，元件的行为会发生显著变化，这个变化可能是电流的突然增加，如在三极管中。
影响标准单元功耗和速度的因素之一——阈值电压Vth(LVT、HVT、SVT/RVT...
1、阈值电压的大小对电路的运行有着显著影响。一般来说，阈值电压越大，速度越低（延迟增加），功耗相应减少；反之，阈值电压越小，速度提升，但功耗也随之上升。因此，HVT、SVT和LVT之间的关系呈现出这样的序列：速度梯度：HVT SVT LVT/，由高速到低速，每一步都反映了阈值电压对速度的直接影响。
2、阈值电压Vth是电路设计中一个关键参数，它直接影响着标准单元的功耗和速度。阈值电压的选取，通常取决于电路对速度和功耗的需求。不同foundry提供的单元库，包含了具有不同阈值电压的单元。具体而言，阈值电压越大，意味着电路的反应速度越慢，即单元的延迟时间增加。
3、HVT代表High V threshold，其功耗最低，适用于非关键时序路径，以节省功率。LVT代表Low V threshold，适用于关键时序路径，因其速度快，但在泄漏电流作用下功耗较高。SVT（或RVT）代表Standard V threshold，是两者之间折中选择，提供中等的延迟和功耗需求。
4、阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。速度大小按快到慢依次排列为SLVT， LVT， RVT， HVT。 功耗大小却正好相反。
5、阈值电压VT的公式表明，体端电位对形成导电沟道有影响，这决定了MOS管的性能，如延时、功耗等。HVT、RVT、LVT等标准库单元通过调控VT来优化性能。形成导电沟道后，向漏极施加电压时，自由电子定向流动，形成电流。在饱和区，电流不再线性增加；在线性区，电流随漏源电压近似线性增长。
平带电压平带电压与阈值电压的关系
综上所述，MOS的阈值电压与平带电压的关系体现在栅极电压需要增加平带电压的部分，以使半导体表面形成反型层。平带电压的组成和控制是制造工艺的关键，需要特别关注Si-SiO2系统中电荷Qf的影响以及Na离子等污染物的控制，以确保阈值电压的稳定性和可重复性。
MOS的阈值电压是指使半导体表面产生反型层（即沟道）时所需要外加的栅极电压。如果存在平带电压，栅压超过平带电压的有效电压使得半导体表面出现空间电荷层（耗尽层），然后再进一步产生反型层；故总的阈值电压中需要增加一个平带电压部分。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
MOSFET的电容特性随栅压变化，从多子积累、平带、耗尽到反型，电容值相应变化。在高频交流信号下，反型层的电子供应受限，电容表现可能与氧化层电容并联。实际MOSFET会受到功函数差、电荷和界面态的影响，导致C-V特性与理想情况有所偏差，这通过调整平带电压和阈值电压的计算公式来体现。
理想MOSFET的特点包括无功函数差、无电荷积累和无界面态，但实际器件存在功函数差、电荷积累和界面态等影响，这些因素会改变MOSFET的C-V特性，如平带电压和阈值电压的计算需要考虑这些因素。
