反向击穿电压（反向击穿电压是多少）

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反向击穿电压ubr的名词解释

1、反向击穿电压（UBR）是指在二极管或其他电子元件被反向偏置时，电流开始迅速增加的电压值。当一个二极管被反向偏置，其电阻很高，只有极少量的反向电流通过。然而，随着反向电压的增加，电流会突然增大，导致二极管被击穿。反向击穿电压即为击穿发生时的电压值。

2、反向击穿电压ubr的名词解释：当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。UBR是英文breakingreversevoltage的缩写，中文意思是可使毁坏的反向电压，就是反向击穿电压。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。

3、反向击穿电压（UBR）是二极管等电子元件在反向极性下，电流突然增大的起始电压。当二极管反向偏置时，其电阻高，仅有微量反向电流。但当反向电压增大至一定值时，电流会迅速上升，导致元件被击穿。反向击穿电压即为击穿发生的电压值，是衡量元件可靠性和稳定性的关键参数。

4、反向击穿电压（UBR）是半导体器件中的一个关键参数，它指的是在器件两端施加反向电压时，导致器件突然导通并伴随电流急剧增大的电压阈值。具体而言，当反向电压超过UBR时，原本处于截止状态的半导体器件（如二极管、晶闸管等）会突然转变为导通状态，电流迅速增大，而电压则急剧下降，这一现象称为反向击穿。

反向击穿电压是越大越好么

1、那要看是什么了，如果是一般的器件，当然反向击穿电压大一些更好，以免损坏器件，而且反向击穿电压大的话，可以增加器件的工作范围。

2、整流二极管本来就是只能工作于击穿电压之下的，不存在击穿电压太大的问题。安全起见，1000V的整流二极管，宜在700V（峰值）以下使用。1n4007的电流是1A，安全起见，宜在0.7A以下使用。网上以只为单位小量购买显然不现实。实体店可以，小量的约一元一只，或才几毛一只。

3、输入电压越高反向击穿电流越大（一般不超过20ma），反之输入电压越低反向击穿电流越小，以达到稳定输出电压的目的。反向截止---当输入电压小于稳压管标称稳压值时，稳压二极管就进入反向截止状态。进入反向截止状态的稳压电路就不起稳压作用。

当反向电压小于击穿电压二极管处于截止状态。我需要解析。我不理解什...

1、击穿分两种：1，一次击穿，当反偏电压超过击穿电压后发生，这个击穿可恢复。跟据pn结的参杂浓度不同分为隧道击穿和雪崩击穿，表现为击穿电压不同， 隧道击穿较低 2，二次击穿（热击穿），与一次击穿不同的是流过的电流大，发热后使pn结发生融穿，不可恢复。

2、反向击穿电压，二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。

3、截止状态 反向偏置：当二极管的P端接电源负极，N端接电源正极时，外加电压的方向与内建电场相同，这样外加电压会增强内建电场，从而更加阻碍少数载流子的运动。在这种情况下，只有很小的“漏电流”可以通过PN结，因为这是由于热激发产生的少数载流子的扩散造成的。这种状态下，二极管处于截止状态。

4、二极管两端加上反向电压，且反向电压低于雪崩击穿电压时，二极管不导通（此时流过二极管的电流极小，可忽略），称之为“截止状态”。可以看出，此时二极管两端当然有电压，而且是反向电压。由于二极管本身并不能对外提供电能，因此无法看成电源，此时的反向电压是由外部电路施加的，不属于二极管本身。

5、首先分析二极管开路时，管子两端的电位差，从而判断二极管两端加的是正向电压还是反向电压。若是反向电压，则说明二极管处于截止状态。若是正向电压，但正向电压小于二极管的死区电压，则说明二极管仍然处于截止状态；只有当正向电压大于死区电压时，二极管才能导通。

6、接线图如下：当稳压管在反向接法时，当反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，呈现的动态电阻很大。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。当反向电压大于击穿电压时，流过二极管的电流急剧增大，但是它两端的电压却基本不变，利用这一点可以用来稳压。

栅氧的正向和反向击穿电压的区别

击穿机理不同：正向击穿电压是由于栅氧层中的电荷分布不均匀，导致局部电场强度过大，引起栅氧层击穿。而反向击穿电压是由于栅氧层中的陷阱电荷积累，导致电场增强，引起栅氧层击穿。击穿电压的大小不同：一般情况下，正向击穿电压比反向击穿电压低。

栅氧与栅氧质量关系极大，增加到一定程度即可构成击穿，导致仿真击穿电压，电场强度很大。当前由于VLSI技术的进步，一方面器件尺寸在不断缩小，要求栅氧厚度不断减薄。

功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。

在芯片制造过程中，MOS管的栅氧化层上连接导体，进行离子刻蚀时，导体像天线收集电荷，导致电压过高，击穿MOS管的栅氧层，这就是天线效应。天线效应发生于芯片制造过程，仅在离子刻蚀时，悬空导体吸收带电粒子产生电压。

二次击穿产生的原因是由于材料光刻时形成的针孔、小岛、扩散形成的表面合金点等，造成PN结面不平整，局部呈尖峰状，称为管道。当外加反向电压后，首先在管道处发生击穿。由于管道截面积很小，所以电流上升缓慢，呈现大电阻特性。当电压继续升高，整个结面发生击穿，电流迅速上升，出现了第二次击穿。

SiC JBS通过优化结构显著降低漏电流和提高击穿电压，适合阻断电压低于3kV的应用。SiC MPS则侧重改善正向特性，通过设计和工艺改进，浪涌电流能力普遍达到额定电流的10倍以上，英飞凌的SiC MPS可达18倍。SiC沟槽型SBD降低肖特基结电场，进一步减小反向漏电流，但会产生严重的JFET效应。

为什么说三极管的三个击穿电压?

三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。

“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。

IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V（BR）CEO要比V（BR）CBO小 即V（BR）CEOV（BR）CBO。（3） V（BR）CER和V（BR）CES--b-e极之间接电阻（R） 和短路（S） 时的V（BR）CE。在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。

问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

关键词：反向击穿电压