pn结反向击穿电压（PN结反向击穿电压有哪几种类型,温度怎样影响）

频道：其他日期：2025-01-03 11:53:38 浏览：20

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在PN结中，当边界层的电动势差超过一个特定的阈值时，就会发生反向击穿现象。反向击穿是指由于PN结中边界层电压差非常大，使得N型和P型半导体之间的电动势差足以抵消半导体离子化能，使得N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子能够穿过接触层，从而使N型半导体和P型半导体之间的电流增加。

【答案】：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。

但是若反向电压如果到达一定程度，pn结会被击穿，这里有三种机制导致：雪崩击穿因为耗尽区的电场方向和外加电场方向一致，导致电场很大，电子在电场中被加速到一定的速度之后撞击晶格形成电子－空穴对，被撞击出来的电子又被加速撞击其他的晶格...这样反复形成很多载流子在电常方向上运动从而形成电流。

pn结反向击穿电压（PN结反向击穿电压有哪几种类型,温度怎样影响）

pn结的主要特性是单向导电性、电容效应、击穿特性。资料扩展：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。

pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

PN结的单相导电性当PN结外加正向电压时，正向电压将推动P区的空穴向N区移动，与负离子中和；同时，N区的自由电子向P区移动，与正离子中和，内电场的电荷被中和，内电场电势降低。这时，扩散电流大于漂移电流，形成“正向电流”。外电场增强时，内电场减弱，正向电流随之增大。

在正向电压作用下电流较大，在反向电压作用下电流较小，即PN结具有单向导电性。当反向电压足够大时，反向电流突然增大，这种现象叫“击穿”。此时，PN结失去单向导电性。此外，当环境温度过高或外加交流电压的频率超过PN结的特征频率时，也会使PN结失去单向导电性。

1、pn结长时间反向电压会怎么样？---能长时间承受的反压一定没有对它造成损伤（没有达到击穿电压或电流被限制在允许范围内），也就是什么事都没有，一切正常。当这个反向电压无法以接地方式带走，pn结是否会被击穿？---这没有累积效应，不会击穿。

2、PN结外加反向电压后，空间电荷区中的电场增强，则相应的空间电荷增多，因而空间电荷区展宽。外加正向电压时，电场减弱，则相应的空间电荷减少，因而空间电荷区变窄。如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，如右图所示。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。

3、反向电压增加，势垒电容减小。PN结加反偏时，PN结交界处存在势垒区。P型层与N型层之间出现耗尽区（空间电荷区），类似电容器的绝缘层，而P、N区充当电容的两个极板，该电容的数值可以根据平板电容相似的理论加以计算。

4、总结来说，PN结在反向电压的作用下，耗尽层变大是因为外加电场加强了原有的空间电荷电场，使得载流子难以重新进入PN结，而在正向电压的作用下，扩散电流的增加抵消了空间电荷电场的作用，使得耗尽层变窄。

5、当温度不变，PN结的特性保持不变时，增大反压会使空间电荷区增宽。这是因为反向电压增大会抑制载流子的扩散，使得空间电荷区的宽度增加。而反向电流的变化则取决于材料的温度系数。对于常见的硅和锗材料，它们的温度系数为负值，即随着温度的升高，它们的电阻减小，反向电流也会增加。

雪崩击穿：在掺杂浓度较低的PN结中，当阻挡层的电场增强，载流子速度加快，足以撞出共价键中的价电子，形成自由电子-空穴对。这个过程会引发连锁反应，导致阻挡层中载流子数量急剧增多，如同雪崩。击穿电压相对较高。

PN结的击穿特性如图所示，当加在PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，PN结产生电击穿一这就是PN结的击穿特性。发生击穿时的反偏电压称为PN结的反向击穿电压VBR PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用（如稳压管）。

1、pn结的基本特性是单向导通、反向饱和漏电或击穿导体，也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

2、它具有以下特性：整流特性：pn结具有整流作用，即在正向偏置时电流流过，而在反向偏置时几乎没有电流通过。这使得它在电路中可以作为二极管使用。发光特性：当pn结被注入适当电流时，可以发生光致辐射，产生可见光或红外光。这使得它在光电子器件中广泛应用，如LED（发光二极管）和激光二极管。

3、pn 结的第一项特性是整流，即只允许电流从正向流入结的一端，而阻止逆向电流的流动。

4、PN结有三个特性：正向导通，反向截止！当正向电压达到一定值时（硅管0.7V，锗管0.3V）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的.有两种载流子，即电子和空穴。

5、与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的。有两种载流子，即电子和空穴。受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

6、pn结的主要特性是单向导电性、电容效应、击穿特性。资料扩展：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。