光耦电压（光耦电压跳动怎么回事）
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光耦的3脚4脚电压范围
光耦的3脚4脚电压范围在50毫安。3，4脚输出，Vceo：35v，IC：50毫安，三极管是通过基极B和发射极E间的电流，去控制集电极C和发射极E间的电流。而光耦可以看做是用输入端的发光管的光强度在控制输出端的电流。
光耦P521的3，4脚最小压差，依据参数，是0.2v才能导通电压。典型值是0.2V；最大值是0.4V。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
通常情况下，如果光耦正常，这时万用表显示的电压大约会在0.981V左右。接着，将红表笔移至“3”脚，黑表笔保持在“4”脚，再次进行测量。正常光耦的这个组合下，万用表的读数应该接近0.700V。这两个测试结果均符合预期值，可以作为光耦性能良好的依据。
光藕34脚接步骤：光耦3脚接12V，4脚接一个10K电阻接地，输出端从4脚出；如果光耦3脚接5V的话，4脚的电阻可以稍微减少一点；最后输出端不变。
光耦参数有哪些?
1、光耦的主要参数包括： 发光器件的主要参数。 电隔离参数。 线性范围参数。接下来进行 发光器件的主要参数包括：发光强度、波长范围以及光谱分布等。这些参数决定了光耦的光信号质量和可靠性。
2、光耦参数主要包括：发光二极管与光敏晶体管的主要参数，如发光强度、波长、响应时间等；以及光耦的电流传输比、隔离电压、封装类型等。解释： 发光二极管与光敏晶体管的主要参数：发光强度：描述了光耦在特定条件下能够产生的光线强度。它直接影响到光信号的传输效率。
3、光电耦合器参数。电流传输比：50%（最小值）。高隔离电压：5000V（有效值）。符合UL标准。极限参数。正向电流（ICEO）：50mA。峰值正向电流（ICE max）：1A。反向电压：6V。功耗：70mW。集电极发射极电压：35V。发射极集电极电压：6V。集电极电流：50mA。集电极功耗：150mW。总功耗：200mW。主要特点。
4、其参数主要包括反向电流IR、反向击穿电压VBR、正向压降VF、正向电流IF、结电容CJ、反向击穿电压V（BR）CEO、输出饱和压降VCE（sat）、反向截止电流ICEO、电流传输比CTR、脉冲上升时间tr、下降时间tf、传输延迟时间tPHL、tPLH、入出间隔离电容CIO、入出间隔离电阻RIO、入出间隔离电压VIO等。
5、光耦的主要参数包括：反向电流IR：在规定反向电压VR下，二极管内部的电流流量。反向击穿电压VBR：当二极管流过的反向电流达到特定值时，集电极与发射极之间的电压降。正向压降VF：在正向电流为规定值时，二极管两端的电压降。正向电流IF：施加正向电压时，二极管允许通过的电流。
6、光耦合器的主要技术参数包括发光二极管的正向压降（VF）、正向电流（IF）、电流传输比（CTR）、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极的反向击穿电压（V（BR）CEO）以及饱和压降（VCE（sat）。在数字信号传输中，上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等也是关键要素。
光耦输入5V输出也是5V么
1、光耦的输入不是5V电压，而是靠电流来使内部的二极管发光来控制输出。驱动的电压1V多点就够理论上串上适当的电阻无穷大的电压都行，只要流过它的电流不超过它的允许值。
2、光电隔离转换器输入电压是5V，光耦隔离电路使被隔离的两部分电路之间没有电的直接连接，主要是防止因有电的连接而引起的干扰，特别是低压的控制电路与外部高压电路之间。光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏管封装在一起。
3、光耦输入端（发光二极管侧）用5V供电，光耦输出端（光电三极管侧）用24V供电，就可以了。如果要求同相，则从e极输出（下接一个射极电阻）；从集电极输出（上接一个上拉电阻）为反相。
4、光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接 收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。只要在光耦的输入端加载一5V电压，光耦的输出端就有电流。
moc3063光耦的工作电压和电流是多少
1、moc3063光耦的工作电压和电流的参数如下： 电压-断态： 600V，电流-通态（It（RMS）：（最大值） 25A，电压-栅极触发（Vgt）：（最大值）3V，电流-不重复浪涌（50，60Hz） 208A，250A。电流-栅极触发（Igt）：（最大值）80mA，电流-保持：（最大值） 100mA。
2、首先，MOC3063是光耦合隔离器，集砷化镓红外发射二极管与单片硅检测器于一体，实现过零电压双向可控硅驱动。广泛应用于逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管及消费电器。MOC3063具三个引脚，其功能为信号输入、光电耦合与信号输出。引脚图与说明见上文。
3、光电晶体管集电极电流与VCE有关，即集电极和发射极之间的电压。可控硅型光耦还有一种光耦是可控硅型光耦。
4、CTR），这是通过光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率（ICE/IF）来衡量的。集电极电流受VCE（集电极和发射极之间的电压）影响。值得一提的是，还有一种特殊的可控硅型光耦，例如moc3063和IL420，它们主要关注的是负载能力。moc3063的负载能力可以达到100毫安，而IL420的负载能力则更高，为300毫安。
tlp3503光耦主要参数表?
光耦输入端的最大工作电压：5V。光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。
封装形式： TLP350采用DIP-8封装形式，而TLP350H则采用SOP-8封装形式。 最大工作温度： TLP350最大工作温度为70℃，而TLP350H最大工作温度为110℃。 隔离电压： TLP 350隔离电压为3750Vrms（最小），而T LP 35 0 H 的隔离电压为5000Vrms（最小）。
晶体管光耦，例如东芝TLP781，TLP185。实现高低压电气隔离。2，驱动光耦，例如东芝TLP701，TLP350。驱动功率器件，例如场效应管或者IGBT。3，IC输出高速光耦。例如东芝TLP109，TLP105，TLP108，TLP112A等。起一定传输和通讯作用。后面那个就是你们电气工程师考虑的问题了，好好琢磨。
