电压vh（电压v和mv）
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霍尔效应公式推导
1、霍尔效应的公式推导过程简单直观。首先，设想一个导体为长方体，电流I沿着ad方向流动，其密度为n。当磁感应强度B垂直于导体的ab平面时，霍尔电压VH会在导体两侧产生一个稳定的横向电场，其大小为VH/a。
2、整数量子霍尔效应（IQHE）与分数量子霍尔效应（FQHE）分别对应v为整数与分数的平台，它们的发现为理论物理提供了新的现象和数学描述，Klaus von Klitzing、Michael Pepper、Gerhard Dorda以及Daniel C.Tsui、Horst L.Stormer、Arthur C.Gossard因此获得了诺贝尔奖。
3、霍尔效应的公式：UH=KHISBKH为霍尔元件的霍尔系数，UH为霍尔电势差，IS为流过霍尔元件的电流。B为垂直于霍尔片的磁感应强度。
4、霍尔效应：在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象。
5、霍尔系数公式是：UH=RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。霍尔效应（Hall effect）是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。
vh和x曲线表示什么霍尔效应
一种是表示霍尔效应中测量的电压信号，另一种是表示霍尔电压与磁场强度之间关系的特性曲线。vh是通过在导体中施加磁场时产生的横向电场引起的。当电流通过一片导体时，施加垂直于电流方向的磁场，会引起电子偏转，从而在导体的两侧产生电场差，即霍尔电压。
两端磁场强度较弱，越靠近中部越强，中部附近的磁场可以视为均匀磁场。
将一块半导体或导体材料，沿Z方向加以磁场B ，沿X方向通以工作电流I，则在Y方向产生出电动势Vh，这现象称为霍尔效应。Vh称为霍尔电压。
在常规霍尔效应中，VH与VG的倒数成正比。然而，当磁场垂直于反型层，电流强度I保持恒定时，一个显著的现象出现了。在某些VG的特定区间内，VH曲线呈现出平台，此时VP接近于零，霍尔电阻ρXY=-VH/I呈现出了量子化的特性。
在霍尔效应现象中，霍尔效应只是导致出现Vh的主要因素而已，这也是为什么要测量多种电流方向和磁场方向才能用算法基本抵消其他效应干扰的原因。
什么是霍尔效应?霍尔电压与哪些因素有关?
霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔电动势的大小正比于控制电流和磁感应强度。如果流过的电流越大，则电荷量就越多，霍尔电动势越高；如果磁感应强度越强，电子受到的洛仑兹力也越大，电子参与偏转的数量就越多，霍尔电动势也越高。此外，薄片的厚度、半导体材料中的电子浓度对霍尔电动势的大小也会有影响。
霍尔效应[1]是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔电势和半导体材质、霍尔元件的偏置电流、半导体材料的厚度、磁感应强度有关。霍尔电势是指磁场中的导体或半导体当有电流通过时其横向不仅受到力的作用同时所产生的电压。
从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。霍尔电动势的影响因素如下：由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；IC为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。对于一个给定的霍尔器件，Vh将完全取决于被测的磁场强度B。
当一个磁场穿过霍尔元件的时候，霍尔元件上的电荷会向两端聚集，在两端形成电压，这就是霍尔效应。具体的电压产生的极性和磁场的方向和元件本身的材料有关。
霍尔电压是怎样形成的
霍尔效应是电磁效应的一种。 当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差（霍尔电压）。当电流垂直于外磁场通过半导体时，使载流子发生偏转的力是洛伦兹力。
霍尔电压产生原理是指在磁场作用下，通过霍尔元件产生的电势差，即霍尔电压的产生机制。霍尔电压是指当电流通过一块薄片时，垂直于电流方向施加一个磁场，会在薄片两侧产生一个电压差。霍尔电压产生原理是基于霍尔效应的。
电位差：电荷的偏移导致了材料中的正电荷区域和负电荷区域。由于正电荷区域和负电荷区域之间存在电场，因此会产生电势差，即霍尔电压。霍尔电压可以用以下公式表示：VH = B * I * RH 其中，VH是霍尔电压，B是磁场强度，I是电流强度，RH是霍尔系数。
霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生的。
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。
vh是什么电压
VH代表“Voltage High”，即“高电压”。在电子学和电路设计中，高电压（VH）和低电压（vL）通常用于描述电路中的不同电压级别。一个典型的双电源供电系统使用两种电压：高电压（VH）和低电压（vL），它们以串连方式提供。在这样的系统中，高电压和低电压之间通过电路连接，形成电压差，为电路提供能量。
Vh是Vm经电荷泵提升的电压，Vm为电机电源电压，Vg是VH和VM电压差。（2）Vh电压高为正，Vm为负。
具体公式为：VH = kHIB，其中VH代表霍尔电压，k是霍尔系数，I是电流强度，B是磁感应强度。通过这个公式，我们可以计算在给定的磁场和电流条件下霍尔电压的大小。下面详细介绍霍尔效应及公式相关知识。霍尔效应介绍 霍尔效应在很多电子设备中有重要应用。
