mos管gs电压（mos管 gs电压）
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示波器探头串连一个高压瓷片电容测开关电源MOS管GS电压
1、、在输出端+、-极并联0.1uf-1uf的瓷片电容，如果此法无效请继续往下看。2）、输入端负极到输出端负极有一电容，此电容一般称为“噪声耦合电容”，加大此电容的容量，噪声可得改善。如果以上都不能达到你想要的效果，最后的方法：输出端通过一个共模电感再到用电器或示波器。
2、测开关电源纹波时加电容是不对的，测出来的数据不真实，应该就按实际工作状态去测。
3、首先你先要证实是不是示波器有干扰？方法在探捧或者负载处并一个50uF的电解电容以及104pF的陶瓷电容，如果效果那么就是有干扰了，如果纹波还是高那么可以将输出滤波电容的容值换大一点，也可以使用低内阻的电容，还有可以使用π型滤波电路，即在两个输出电容间加一个电感。
mos管gs开启电压最大最小
1、最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。
2、mosfet的最大开启电压？是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
3、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。
4、开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。
5、触发电压最小值：-0.5V典型值：-0.9V最大值：-3V为了实现导通，仅需在G极施加一个适当的触发电压，促使S极与D极之间建立通路。当G极加压，MOS管便会导通，漏极（D）输出电压可达3V。电路中，PWR_CTL与单片机的GPIO口相连，需要确保内部有上拉电阻，或者外部额外提供。
6、由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。mos管一般的开启电压在2-4v，为保证可靠的完全导通，需要5v以上。最多不能超过20V。
MOS管导通条件是什么?
1、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
3、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。
mos管的gs最大反向电压
1、V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
2、P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
3、是的。一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压，那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通，当然，对于PMOS也一样。因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。
4、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
5、对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET，漏极到源极之间有一个本体二极管，其特性是：电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流，耐压=场效应管耐压，方向N沟道的是源极为正、漏极为负，P沟道相反！只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。
