场效应管的击穿电压（场效应管击穿电压的定义）

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在使用场效应管作为高放时应注意哪些参数

1、这些参数常规的有三个击穿电压（BV）、最大集电极电流（Icm）、最大集电极耗散功率（Pcm）、晶体管工作的环境（包括温度、湿度、电磁场、大气压等）、存储条件等。在民用电子产品的应用中，基本只关心前三个。

2、连接错误：检查场效应高放管是否正确接线，排除任何导体的短路或开路以确保连接正确。外部电路导通不良：如果场效应高放管的负载电路存在问题，可能会导致该管没有电压，检查外部电路中是否存在任何导通不良的部分。

3、场效应管一般只有3个脚。有个别场效应模块是4个脚。

如何判断场效应管是电流击还是电压击穿?

档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样，表面上看管子是好的。P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。

击穿一般是电压高，电流太大也会坏，但不叫击穿。

对于绝缘栅型场效应管，过高的控制极电压会导致GS结击穿损毁；而对于结型场效应管，则可能因GS间的PN结过热而烧毁。要准确判断场效应管是否会烧毁，首先需要了解其安全工作条件。这些条件包括：场效应管在工作时通过的最大电流不能超过手册中规定的极限电流值。

将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管有G、D、S，三个极，用机械表R*10K档测量。

尖峰电压/电流，过热击穿，短路，浪涌电流。

漏电流过大：如果场效应管的漏电流过大，会导致电路功耗增加，甚至可能导致器件烧毁。这通常是由于场效应管的漏极和源极之间存在短路或击穿引起的。解决方法是更换场效应管。输入输出阻抗过高：如果场效应管的输入输出阻抗过高，会导致电路失真或无法正常工作。

MOS管如何使用?

1、mos管的使用方法主要是通过控制其栅极电压来实现对电路的开关控制。一个简单的电路例子中，假设我们有一个电源、一个灯泡和一个开关，当手触摸开关时，灯泡就会亮起或熄灭。若我们想使用单片机来控制灯泡的开关状态，就需要用mos管来替代这个开关。

2、使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。

3、MOS管是电压控制电流器件，栅极电压的变化控制漏极电流的变化。MOS管有PMOS和NMOS两种，PMOS在栅极电压低于源极电压超过阈值电压时导通，NMOS在栅极电压高于源极电压超过阈值电压时导通。PMOS的栅极用低电平驱动，NMOS的栅极用高电平驱动。

4、在使用过程中，MOS场效应管需要特别注意避免静电积累，因为少量电荷就可能损坏管子。MOSFET检测方法包括：先将人体短路，确保与地等电位；确定栅极，通过测量确定栅极后，确认源极和漏极；检查放大能力，通过触摸栅极来检测跨导；对于VMOS场效应管，同样需要确认栅极，识别源极和漏极，并测量漏-源通态电阻。

5、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。

场效应管被击穿一般是什么问题造成的?又有什么解决方案?

1、击穿一般是电压高，电流太大也会坏，但不叫击穿。

2、通过电阻的接入，可以将栅极上积累的少量静电快速泄放，避免高压电场产生误动作或击穿现象。这不仅为场效应管提供了稳定的偏置条件，还有效地保护了栅极与源极之间的连接，确保电路的稳定性和可靠性。综上所述，MOS管被ESD击穿问题的解决方案涉及了多个方面的考虑和实施。

3、电压电流过大甚至人体静电都会导致场效应管的击穿，晶体管损坏也能够导致场效应管击穿。

4、原因一是散热不良，检查风机，检查管子和散热板是否可靠接触。二是管子质量问题，需要选择耐压150V以上的。三是后级短路造成电流过大，管子发热损坏。四是高频变压器内部击穿，浸水受潮造成，现象是开机就击穿场效应管。

5、①、向此问题即然知道场效应管损坏，首先先彻底的排查一下，被损坏的场效应管周围元件，看是否还有损坏的元件，如果经彻底排查后未见异常，然后在换上新的场效应管上电试机即可。

6、由于体二极管遭受破坏而导致的失效。在不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。

场效应管漏源击穿电压为什么在Vgs=0的条件下进行测量的??求大神解答

vds是场效应管漏极和源极间的电压，vgs是栅极与源极间电压，指的是电压值不存在加减关系和电流方向。

测量方法必须统一标准，所以，标准规定如此，否则，数据就没有比较意义了。

漏源击穿电压BVDS在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS，ID剧增的原因有漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。栅源击穿电压BVGS在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

漏源击穿电压BVDS是指在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS。ID剧增的原因有：漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。栅源击穿电压BVGS是指在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS。