三极管基极导通电压（三级管基级导通电压）

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npn和pnp的输出特性曲线的区别

电压方向不同、电流方向不同。电压方向：PNP型三极管基极导通电压为负0.1V，而三极管工作在放大状态时Vbe为负0.1V到负0.5V之间。相比之下，NPN型硅三极管的输出特性曲线中，基极导通电压为0.7V。电流方向：PNP型三极管与NPN型三极管相比，不仅电压、电流方向不同，而且导通电压数值较小。

输入特性曲线 输入特性曲线是描述三极管在管压降UCE保持不变的前提下，基极电流iB和发射结压降uBE之间的函数关系，即 （5-3） 三极管的输入特性曲线如图5-6所示。

pnp和npn的区别图如下：NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。NPN 是用B→E的电流（IB）控制C→E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VCVBVE。

NPN型输入（输出）：是指负电压输出的是低电平0，有信号触发时，信号输出线out和0v线连接，相当于输出低电平。PNP型输入（输出）：是指正电压，输出是高电平1，有信号触发时，信号输出线out和电源线VCC连接，相当于输出高电平的电源线。

在电子电路中，NPN和PNP型三极管是根据其输入和输出信号的特性进行区分的。NPN型输入（输出）的特点是，当信号触发时，输出线out与0V线相连，输出为低电平（0），负电压控制电路。相反，PNP型则以正电压为基准，输出是高电平（1），信号触发时out连接电源线VCC，表现为高电平的电源状态。

三极管导通后集电极电压会怎样?

1、要根据所接入的限流电阻而定，若限流电阻与集电极串联，导通后集电极由高电平变为低电平；若限流电阻与发射极串联，导通后集电极呈高平不变。

2、若负载接在三极管集电极：三极管导通后，集电极电压接近“地”（约0.3V）；三极管截止后，集电极电压为Vcc 。若负载接在三极管发射极：三极管导通后，发射极电压接近Vcc；三极管截止后，发射极电压为“地”。

3、如果是npn的，基极高电位的话，三极管会导通，集电极会变成低电位，发射极比集电极低一个管压降。

求助:三极管的基极工作电压是多少到多少?

1、硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。硅材料或锗材料的三极管工作在截止状态时的基极处于0偏置或反向偏置，基极电压为0～6V（与放大或饱和导通时基极电压反相）。

2、三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。

3、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。

4、当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。

5、对硅管，PNP三极管基极供电电压为－0.7V，NPN三极管为＋0.7V.2：PNP三级管的正偏指的是基极的电压小于发射极的电压，NPN三极管正好又与之相反。3：NPN三极管也好，PNP三极管也罢，两者都不能用交流电。

6、三极管基极到发射极称为发射结，处于放大状态时，硅三极管发射结电压常为0.6伏——0.7伏，锗管约为0.25——0.3伏，通常在放大状态的上限电压基础上加上0.1伏即进入饱和状态。

三极管的导通电压多大?

1、硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

2、三极管导通电压：锗管为：0.1~0.3V。硅管为：0.6~0.8V。三极管的三个工作状态：截止：Uce约等于电源电压。放大：Uce大于1V小于Uce。饱和：UceI小于1V。

3、即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。三极管的集电极饱和电流由电源电压和集电极电阻共同决定，即使电源电压不变，如果集电极电阻改变，饱和电流也会改变，当集电极电阻增大时，三极管的饱和电流减小，当集电极电阻减小时，三极管的饱和电流增大。

请问三极管(此处指硅管)导通后的集电极电压是多少?

当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。

PNP型三极管则相反，集电极Vc的电压最低，发射极Ve的电压最高，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Vc低0.7伏或0.2伏。

硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

要根据所接入的限流电阻而定，若限流电阻与集电极串联，导通后集电极由高电平变为低电平；若限流电阻与发射极串联，导通后集电极呈高平不变。

硅管与锗管的基极与发射极电压不同，分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。

关于三极管的问题?

1、三极管的好坏比较准确是测量用万用表测量放大倍数，简易的是测量be、bc、ce间是否有正常压降（0.7v、0.7v、无穷大 ），但是实际工作中要更复杂，我见过测量放大倍数都正常，但是就是用到电路中不能正常工作的三极管。

2、对于NPN三极管，正常工作时，C级电压就比E级电压高。对于PNP三极管，正常工作时，C级电压比E级电压低，但是，某些情况下，如C级连接感性负载，三极管突然关断时，感性负载产生瞬时反电势，其电位可以比E级（甚至电源）更高。

3、先回答第一个问题：将基极B与发射极E间等效为一个二极管（PN结），B极为P端，E极为N端，B极电压增大相当于PN结P端电位增大，即PN结正向压降增大，PN结正偏成度增强，根据PN结的特性---正向压降增大，正向电流也增大。即NPN管基极电压增大，基极电流也增大。

4、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，理解这三种状态对于学生而言是一个难点。通过分析电路中三极管的特性，我们能更容易地判断三极管的工作状态。首先，饱和状态是指三极管的基极电流足够大，使得集电极与发射极间的电压很小。此时，C、E间的饱和电阻很小，可以视为短路。

5、对NPN三极管来说，当基极电位比发射极高时发射结就处于正向偏置，当基极电位比集电极低时集电结处于反向偏置，如果是PNP管上述说法反过来。NPN三极管处于放大状态时电流从发射极流出，如果是PNP管从集电极流出。实际上硅管发射结正向偏置电压在达到0.6V时才能正常进行放大，但截止和放大的分界线还是Ube=0。