断态阳极电压（阳极指示）

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晶闸管阳极与阴极之间加电压控制极会有电流流过吗

Ig越大，转折电压越小，当Ig足够大时，晶闸管正向转折电压很小，一加上正向阳极电压，晶闸管就导通。实际规定，当晶闸管元件阳极与阴极之间加上6V直流电压时，能使元件导通的控制极最小电流（电压）称为触发电流（电压）。

阳极与阴极之间加有正向电压； 门极与阴极之间加正向电压和电流 （ 触发脉冲 ） 。要维持晶闸管的导通状态，需要满足以下条件：正向电压：晶闸管的阳极（A）端相对于阴极（K）端的电压必须为正值。这样才能形成一个正向偏置，使得结电场有效地将晶闸管导通。

晶闸管承受反向电压时，内部也会有微弱的电流，称为反向漏电流。根据查询相关公开信息显示，晶闸管的阳极和阴极之间加反向电压时，晶闸管处于反向阻断状态，产生很小的电流称为反向漏电流。当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。

当阳极和阴极之间施加正向电压，并且门极也施加正向电压时，单向可控硅会进入导通状态。此时，电流可以从阳极自由流向阴极，实现电路的通导。一旦单向可控硅导通，即使降低或去除门极电压，它仍然会保持导通状态，直到阳极电流小于维持电流或者阳极与阴极之间施加反向电压才会关断。

如果在控制极和阴极之间加上一个正向的小电压，则晶闸管将导通，此时即使撤走控制信号，晶闸管仍能保持导通，除非断开阳极电源回路或将阳极电流降低到小于晶闸管的维持电流。通常情况下，触发晶闸管所需的电流等于流过晶闸管电流的1/100~1/1000。

逆导晶闸管主要参数

1、逆导晶闸管是一种重要的电力电子元件，其性能参数对于其工作稳定性及效率至关重要。以下是其主要的几个关键参数：首先，断态重复峰值电压（VDRM）是指晶闸管在关断状态时，能够承受的最高瞬时电压，它决定了设备在极端情况下是否能保持可靠的安全性。

2、选择晶闸管的主要参数也应根据应用电路的具体要求而定，所选晶闸管应留有一定的功率裕量，其额定峰值电压和额定电流（通态平均电流）均应高于受控电路的最大工作电压和最大工作电流5~2倍。

3、在晶闸管的阳极与阴极之间加反向电压时，有两个PN结处于反向偏置，在阳极与阴极之间加正向电压时，中间的那个PN结处于反向偏置，所以，晶闸管都不会到导通（称为阻断）。

4、晶闸管它主要有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。

晶闸管内部有()个pn结

晶闸管内部有3个pn结。晶闸管简介：晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极。

普通晶闸管内部有两个pn结，外部有三个电极，分别是阳极A、阴极K和门极G。阳极A：阳极是晶闸管的主电极，它用来接收电流并提供输出。当晶闸管被触发后，阳极上形成一个低阻态，允许电流流经晶闸管，从而激活器件并传递电能。阴极K：阴极是晶闸管的另一个电极，用于连接电路的共返回路。

晶闸管是一种4层功率半导体器件，具有3个PN结，其内部的构造、外形和电路符号如下图所示。其中，最外层的P区和N区分别引出两个电极，称为阳极A和阴极K，中间的P区引出控制极（或称门极）。2晶闸管的特点： 具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

晶闸管参数

1、晶闸管的主要参数包括正向转折电压、反向转折电压、正向电流、维持电流、断态电压临界上升率、通态电压临界上升率、通态平均电流、通态不重复浪涌电流、反向峰值电流、反向不重复浪涌电流、通态浪涌电流、反向浪涌电压、动态dv/dt耐量、通态电压、通态电阻、维持电压、断态重复峰值电压和反向重复峰值电压。

2、晶闸管是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，其主要参数决定了晶闸管在特定条件下的使用性能。这些参数包括额定通态平均电流、正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压、触发电压、维持电流、保持电流、触发角、开关速度、封装类型和散热设计、温度特性等。这些参数直接影响了晶闸管的使用情况和性能表现。

3、电流参数 （1）通态平均电流IT（AV）在环境温度为+40℃、规定的冷却条件下，晶闸管元件在电阻性负载的单相、工频、正弦半波、导通角不小于170°的电路中，当结温稳定在额定值125℃时所允许的通态时的最大平均电流称为额定通态平均电流IT（AV）。

4、最大通态电压（VT）是晶闸管在导通时，允许的最高电压，超过了这个值，可能会导致元件损坏，因此需要严格控制。最大反向导通电压（VTR）则是指当门极不加电压，而阳极与阴极之间加反向电压时，晶闸管能够承受的最大电压，这也是防止元件误触发的重要参数。

5、一）正向转折电压VBO （二）断态重复峰值电压VDRM （三）通态平均电流IT （四）反向击穿电压VBR （五）反向重复峰值电压VRRM （六）正向平均电压降VF 七）门极触发电压VGT 晶闸管是过零关断，从发出关断指令到晶闸管实际关断的时间称为晶闸管关断时间。

可控硅主要参数

1、可控硅的参数主要有以下几个： 额定通态电流 可控硅的额定通态电流是指在规定的条件下，可控硅能够连续承受的最大通态电流。这是衡量可控硅性能的重要参数之一，通常与器件的散热能力有关。 反向击穿电压 反向击穿电压是指可控硅在关断状态下能够承受的反向电压最大值。

2、可控硅的主要参数包括额定通态电流（IT）、反向重复峰值电压（VRRM或VDRM）、控制极触发电流（IGT）和额定正向平均电流。首先，额定通态电流（IT）指的是可控硅在最大稳定工作电流下能承受的电流值，也称为电流。IT的数值通常在1安到几十安之间。

3、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

4、可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。2 反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。3 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。

5、BT136是4A双向可控硅，可用任何4A以上可控硅代用，只要耐_达标即可。双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

6、可控硅的主要参数有电压平均值、正向阻断峰值电压、反向阻断峰值电压、控制极触发电流和触发电压以及维持电流。其中，额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

gto工作原理

门极可关断晶闸管的工作原理是通过门极信号来触发或关断电流。当门极接收到正脉冲信号时，器件会迅速导通，允许电流通过。而当门极接收到负脉冲信号时，器件会迅速关断，切断电流。这种快速通断的能力使得门极可关断晶闸管在电力电子系统中具有广泛的应用。

由于在导通状态下，流经N2的电流就是晶闸管的负载（工作）电流，要在上边加一个反向电流，无论从负载的角度，还是触发的角度看，普通晶闸管都是难以实现的。所以，普通晶闸管只能通过触发电流导通，不能通过反向触发关断。GTO是可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor）的简称。

由于不需用外部电路强迫阳极电流为0而使之关断，仅由门极加脉冲电流去关断它；所以在直流电源供电的DC—DC，DC—AC变换电路中应用时不必设置强迫关断电路。这就简化了电力变换主电路，提高了工作的可靠性，减少了关断损耗，与SCR相比还可以提高电力电子变换的最高工作频率。

在具体应用中，GTO通常用于高压大功率电路中，如电力系统、电机驱动、不间断电源（UPS）等场合。它们可以有效地控制电源的输出功率，实现高效的能量转换和传输。在电机驱动系统中，GTO可以精确控制电机的启停和速度调节，提升系统的稳定性和效率。然而，GTO也存在一些局限性。

门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。实现关断的要点在于：（1）通过功能集成使晶闸管导通时处于临界饱和状态，便于退出饱和状态；（2）通过功能集成将关断过程分解为多个关断过程的集合（可理解为关断n个小电流的晶闸管）。

主要类型有单向可控硅、双向可控硅以及门级关断晶闸管（GTO）。单向可控硅由四个半导体层构成，包括阳极A、阴极C和控制极G，它可视为PNP和NPN晶体管的组合。工作原理上，阳极正向电压和控制极触发共同使得晶体管导通，形成正反馈，保持导通状态。

关键词：断态阳极电压