峰值电压MOS超过漏极电压（mosfet阈值电压较宽的原因）

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7nmMOS栅源电压最大可以到多少

MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V（最大可为186V ）电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复...

在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。在测量DS时候，最好将G与S短接，或者GS之间接一个电阻，或者放置在防静电的工作台上。由于MOS过于脆弱，一定保证人体无静电。

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。此时，如果栅极电压与漏极电压相同，则MOS管的通道电流达到最大值，也就是处于饱和状态。

当栅极和源极加上超过门限电压的电压的时候，漏源极才能处于导通状态。不同的MOSFET，门槛电压不一样，一般设计栅源极电压在15V左右，特别在作为开关管运用的时候。

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

1、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

2、由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。在你测量的过程中，如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了，也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作，都会让MOS管的DS持续保持导通。如果电压过高，栅极可能击穿损坏。

3、当栅极和源极加上超过门限电压的电压的时候，漏源极才能处于导通状态。不同的MOSFET，门槛电压不一样，一般设计栅源极电压在15V左右，特别在作为开关管运用的时候。

4、MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。此时，如果栅极电压与漏极电压相同，则MOS管的通道电流达到最大值，也就是处于饱和状态。

5、截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。线性放大区： 当NMOS管的栅极电压高于阈值电压，但漏极-源极电压较低，使得栅极电压和漏极-源极电压之和小于饱和电压时，NMOS管处于线性放大区。

6、以N沟道MOS管为例，当栅极电压大于0V时，N型半导体基底中的电子被吸引到栅极下方，形成一个N型导电沟道，连接漏极和源极。此时，如果漏极电压相对于源极为正，则电子可以从源极流向漏极，形成电流，MOS管导通。如果栅极电压为0V或负值，导电沟道消失，MOS管截止。

nmos管的工作状态分为哪几类?

1、NMOS管的工作状态主要分为以下几类：截止状态： 当NMOS管的栅极电压低于阈值电压时，NMOS管处于截止状态。在此状态下，栅极和漏极之间的通道断开，导致漏极和源极之间没有电流流动。

2、截止状态：当VGS小于等于零或者接近零时，栅极和衬底之间的电场不足以排斥P型衬底中的空穴，也无法吸引N型半导体中的电子，因此导电沟道消失，电子无法从源极流向漏极，NMOS管进入截止状态。阈值电压：当VGS增大到一定值时，会形成导电沟道，这个值被称为阈值电压（Vth）。

3、另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

4、三极管具备三种工作状态：截止、放大与饱和。当发射结反偏、集电结反偏时，三极管进入截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，则进入放大状态。三极管工作类型有共基极（CB）、共集电极（CC）与共发射极（CE）。

5、在数字电路中，存在着4个状态，分别是同时闭合、同时断开、上拉和下拉，具体状态如下表所示：解释了新的状态X和Z：X表示同时闭合，Z表示同时断开。在CMOS反相器电路中，NMOS器件的互补器件是PMOS。两个串联的NMOS管的互补输出电路是两个并联的PMOS管。

6、判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

mos管怎么测试好坏

用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。 \x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。先确定MOS管的引脚：先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

测试mos管好坏的方法包括： 使用万用表进行二极管测试：在NMOS中，体二极管通常是从源极到漏极。将万用表设置为二极管模式，红色探头连接源极，黑色探头连接漏极。在正向偏置模式下，万用表应显示0.4 V至0.9 V之间的读数。如果万用表显示读数为零或无读数，则mos管可能有故障。

测试mos管好坏的方法：二极管测试：使用带二极管模式的万用表进行测试。将红色探头连接mos管源极，黑色探头连接到漏极。如果万用表显示读数为零或无读数，则该mos管有故障。当颠倒探头连接时，读数应该是“开路”或没有读数，表明mos管良好。电阻测试：利用mos管的漏源电阻进行测试。

mos场效应管判断好坏 电阻法判断结型场效应管电极 利用场效应管PN结正、反向电阻值不同，可判断结型场效应管三个电极。具体操作：将万用表拨至R×1k档，选两个电极测量正、反向电阻。相等且为几千欧姆时，该两电极分别为漏极D和源极S。

mos击穿后是短路还是开路

1、该情况即可能短路也可能开路。mos击穿后，多数情况下会形成短路，当mos管的栅极电压超过其击穿电压时，栅极与源极和漏极之间会发生永久性导通，使得mos管失去了绝缘性能，mos管相当于一个短路。

2、开路。MOS击穿后是出现开路状态，当MOS击穿时，出现高电压或过电流，会导致绝缘层破坏，形成电流流过，从而导致器件的通路打开。

3、原来导通的，由于电流过大，承受不住发热产生高温而烧断，是过流。原来不通的，由于耐压不够或耐热不够而导通了，是击穿，被电流穿透的意思。击穿因局部漏电致局部温升、温升加剧漏电形成雪崩而造成。击穿的结果状态一般是导通；过流的结果状态一般是断路。

4、约？资芡饨绲绱懦』蚓驳绲母杏Χ？？又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式；一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。