nmos电压（nmos电压关系）
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降低nmos开启电压的vt方法
降低nmos开启电压的vt方法： 增加栅极氧化层厚度：栅极氧化层是NMOS的顶部结构，它隔绝了栅极和NMOS的源极和漏极。增加氧化层厚度可以提高阈值电压（Vt）的压差，从而使开启电压有所降低。 改变掺杂浓度：在NMOS的源极和漏极区域，可以调整掺杂类型（例如P型掺杂）和掺杂浓度。
开启电压又称阈值电压，使得源极S和漏极D之间形成导电沟道所需的栅极的当压，标准的N沟道MOS管VT约为3~6V。
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V，通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
将MM2合并为等效nmos管，MM5合并为等效pmos管（假设M6不参与作用）。推导过程中使用了电容串联的概念及β值，最终得到等效电路的阈值电压。通过对Kn与Kp的分析，可以得知当Kn减小时，nmos电路的滞回电压增加，VT+增加。类似地，当Kp减小时，滞回电压增大，VT-减小。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
形成沟道时的vGS值称为开启电压VT。N沟道MOS管在vGS小于VT时不能形成导电沟道，处于截止状态。只有当vGS大于等于VT时，才有导电沟道形成。这种必须在vGS大于等于VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。一旦形成沟道，在漏源间加正向电压vDS，就会产生漏极电流。vDS对iD的影响类似于结型场效应管。
cmos截止电压的定义是什么
CMOS截止电压是指在CMOS器件中，MOSFET的截止阈值电压，即栅极电压低于该值时，MOSFET处于关闭状态，导电能力非常低。 对于N型MOSFET（NMOS），截止电压是指栅极与源极之间的电压（Vthn）。当栅极电压低于Vthn时，NMOS处于关闭状态，几乎不导电。
CMOS 输出状态：- 高电平（HIGH）：当CMOS输出处于高电平时，输出电压接近供电电压（Vcc）；通常为接近Vcc的正电压。- 低电平（LOW）：当CMOS输出处于低电平时，输出电压接近地电平（GND）；通常为接近GND的零电压。在 CMOS 电路中，输出主要通过 PMOS 和 NMOS 晶体管来控制。
Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP （PMOS）|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。
nMOS和pMOS导通阈值电压
PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
以SOI技术为例，NMOS的阈值电压通常在0.2V到0.7V，而PMOS的阈值电压则在-0.2V到-0.7V之间。衬底掺杂浓度影响阈值电压，一般PMOS的阈值电压大于NMOS，这与其载流子类型和衬底效应有关。需要注意，实际应用中的阈值电压和电流流向可能因器件特性和工艺的不同而有所变化。
基本概念 所有MOS管的基本构造包括源极S、栅极G和漏极D。NMOS和PMOS的主要区别在于工作原理，NMOS在Vgs大于阈值电压时导通，PMOS则在Vgs小于阈值时导通。 关键参数 开启阈值电压Vgs（th）： NMOS大于此值导通，PMOS小于导通。 持续工作电流Ihold： 确保MOS管稳定工作的电流。
导通条件上，NMOS在栅极与源极之间的电压高于某一阈值电压时导通，此时漏极与源极之间形成导电通道，电流可以从漏极流向源极。相反，PMOS在栅极与源极之间的电压低于某一阈值电压时导通，电流方向从源极流向漏极。这种导通条件的差异使得NMOS更适用于源极接地的场合，而PMOS则适用于源极接电源的场合。
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
NMOS晶体管为什么不能承受过大的电压?
因为当沟道被夹断后，继续增加漏源电压（漏极接正端）会使得漏极附近与衬底的耗尽层变宽，导致夹断点逐渐步向源端移动，这时漏端产生的电场会收拢夹断点的电子，形成电流，这个电流和单个pn结反偏时的饱和电流相似，在一定程度上增长的很慢，直到发生击穿。
因为栅源极之间的电压配置不合理，需要保证栅源极之间的电压高于导通电压才行。栅源之间至少要加上12+5V才可以。且应当尽量避免NMOS的源极处于浮动状态。源极：场效应管。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
MOSFET，全称为功率场效应晶体管，拥有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）三个基本极。它的主要优势在于热稳定性优良，能够承受较大的安全工作区。然而，MOSFET的缺点在于击穿电压较低，且工作电流容量相对较小。
