lvcmos电压（lvd电压范围）

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典型的I/O电压标准

在现代电子设计中，I/O电压标准扮演着关键角色，确保信号的准确传输和系统性能。本文将带你探索LVTTL、LVCMOS、TMDS、LVDS/LVDS_25以及SSTL电平标准的特性和应用。LVTTL与LVCMOS这两种电压标准支持单向和双向数据传输，LVCMOS提供了多种电压等级和I/O bank选项，适用于不同应用场景。

本文介绍典型I/O电压标准及端接匹配电路，包括LVTTL、LVCOMS、TMDS、LVDS、LVDS_25和SSTL电平标准。LVTTL标准适用于3V外设接口，使用单端COMS输入缓冲器和推挽输出缓冲器。端接技术分为无端接、串行匹配和并行端接，分别针对信号高速传输、减少振铃效应和保持信号完整性。

根据PN结的特性，在正向导通后，PN结电压与电流基本上呈现指数关系，在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右，PN结通过的电流只与外电路相关。在这个图中，你只需要知道三极管的BE之间为0.7V，BE的电流需要根据外电路和这个0.7V来计算就可以。这个0.7V，你可以认为是不可控的，是固定的。

这个要看单片机的具体型号了，不同的单片机工作电压可以不同的，I/O输出的电压也就不同了.即使输出电压相同，输出电流也可能不同的.单片机的datasheet里，一般都有相关的准确参数的，查看一下就知道了。

可以识别的 TTL 电平范围：在室温下，一般输出高电平是5V，输出低电平是0.2V。

从586微处理器开始，CPU的工作电压被细分为内核电压与I/O电压两种类型，且通常内核电压会小于或等于I/O电压。内核电压的设定与CPU的制造工艺紧密相关，随着制造工艺的不断进步，内核的工作电压也逐渐降低。例如，当采用更先进的制造工艺时，内核电压能够显著下降，进而实现更高的能效比。

lvcmos和cmos区别介绍

1、与LVCMOS晶体振荡器对比，CMOS晶体振荡器可以使用更高电压。LVCMOS中的LV指的是LowVoltage，意思是“低电压”，往往代表着“低功耗”。如果设备对低功耗有要求，晶诺威科技建议选择输入电压为8V、5V或8V的LVCMOS晶体振荡器，电流为20mA。

2、CMOS CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor。Vcc：5V；VOH=45V；VOL=0.5V；VIH=5V；VIL=5V。相对TTL有了更大的噪声容限，输入阻抗远大于TTL输入阻抗。LVCMOS LVCMOS：Low VoltageComplementary Metal Oxide Semiconductor。

3、- LV1：采用新一代全画幅CMOS，高感、宽容度表现均衡。- LV2：采用全画幅CMOS，某一方面画质表现突出。比如，6D2高感特别好，仅次于佳能1DX2等速度机；5Ds、5Ds R分辨率非常高，可以媲美中画幅相机。- LV3：采用老一代全画幅CMOS，宽容度不及新一代APS-C画幅相机。

4、LV表示低电压，芯片工作电源电压为7V～6V。Philips 80C51系列单片机的命名规则中，OTP ROM表示在片程序存储器为由用户一次性可写入的ROM，成本低于Flash EEPROM，但高于Mask ROM。从上述命名规则可以看出，典型的80C51系列单片机不同型号主要在于片内程序存储器状态。

5、高电平和低电平的定义针对不同芯片，不同信号类型来说都不一样。当前数字芯片（如X86 CPU、华为的鲲鹏920等）中GPIO常用的LVCMOS，有不同的电平标准。

CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊?

1、CMOS门电路对于输入高电平和低电平的电压有具体规定。比如，与芯片类型紧密相关，74HCXX系列的输入高低电平分界在0.3-0.7VDD之间，如果电源电压为5V，那么分界在5V到5V都算合格。所以低于5V肯定是输入低电平，高于5V肯定是输入高电平，而5V到5V则不能确定。

2、而CMOS电路的电压范围较为宽泛，逻辑电平标准为输出低电平小于0.1*Vcc，输出高电平大于0.9*Vcc；输入低电平小于0.3*Vcc，输入高电平大于0.7*Vcc。在实际应用中，TTL电路与CMOS电路是否可以直接连接，取决于它们的电压范围和逻辑电平标准是否匹配。

3、一）TTL高电平6~5V，低电平0V~4V CMOS电平Vcc可达到12V\x0d\x0a CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。\x0d\x0a CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。

4、CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极高，对干扰信号敏感，因此未使用的输入端不应悬空，而应连接到地或电源。CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗极低。在5V电源情况下，CMOS电路的输出高电平接近电源电压（VCC），低电平接近地（GND）。输入高电平Uih至少0.7VCC，输入低电平Uil不超过0.2VCC。

5、最小输入则要求：输入高电平≥0V，输入低电平≤0.8V，噪声容限是0.4V。COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体，电路许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接，静态功耗很小。

LVTTL标准有关于电压的标准

在计算机内存技术中，DDR内存采用了一种特别的电压标准，即SSTL2。这种标准支持的电压为5V，相较于DDR内存，对于一些较为传统的SDRAM内存，其电压标准有所不同，它采用了LVTTL，工作在3V的电压水平。

在电子设计中，TTL（Transistor-Transistor Logic）是一种传统的逻辑电平标准，其典型电压范围为Vcc=5V，有严格的电平规范：VOH=4V，VOL=2V，VIL=4V，VOL=2V，VIL=2V，VOL=7V，VIL=0.7V）。LVTTL主要应用于高速芯片，使用时需查阅芯片手册确认具体参数。

LVTTL又分3V、5V以及更低电压的LVTTL（Low Voltage TTL）。3V LVTTL： Vcc：3V；VOH=4V；VOL=0.4V；VIH=2V；VIL=0.8V。5V LVTTL： Vcc：5V；VOH=0V；VOL=0.2V；VIH=7V；VIL=0.7V。更低的LVTTL不常用就先不讲了。

cmos晶振是什么

CMOS晶振是一种方波输出的晶振，其Vcc电压为5V，VOH电压大于45V，VOL电压为5V，VIL电压小于5V。CMOS相对于TTL具有更大的噪声容限和更高的输入阻抗。 LVCMOS是CMOS的一种，用于3V的LVTTL，可以与3V的LVTTL直接相互驱动。

晶振输出波形有很多种，coms是方波输出的一种，以下是具体每种波形的区别，供参考：\x0d\x0a（LV）TTL、（H）CMOS、（P）ECL、LVDS、（Clipped）Sine Wave几种波形的主要区别是什么？\x0d\x0a这几种波形都是目前行业常用的波形。

晶振输出波形有很多种，coms是方波输出的一种，以下是具体每种波形的区别，供参考：（LV）TTL、（H）CMOS、（P）ECL、LVDS、（Clipped）Sine Wave几种波形的主要区别是什么？这几种波形都是目前行业常用的波形。

晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。

RTC也叫CMOS时钟，它是PC主板上一块依靠电池供电的芯片（晶振）。即使系统断电，RTC也可以维持日期和时间。由于它独立于操作系统，所以也被称为硬件时钟，它为整个计算机提供一个计时标准，是最底层的时钟数据。

CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。

数字通信电平规格(TTL/LVTTL/RS232/RS422/RS485/USB电平/CMOS电平/LVCO...

数字通信电平规格繁多，包括TTL/LVTTL、RS232/RS422/RS485/USB、CMOS/LVCMOS等，它们在数据传输中的逻辑值（“1”与“0”）与电平范围之间存在特定对应关系。

·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS23RS42LVDS等。·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3V系列，5V系列和8V系列。·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。

RS-422/485和RS-232是串口的接口标准，RS-422/485是差分输入输出，RS-232是单端输入输出。补充：RS-232C采用的是负逻辑，即逻辑“1”：－5V至－15V； 逻辑“0”：+5V至+15V。而CMOS电平为：逻辑“1”：99V； 逻辑“0”：0.01V；TTL电平的逻辑“1”和“0”则分别为4V和0.4V。

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