电流霍尔电压（霍尔输出电流）
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霍尔电压是怎样形成的
霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场时产生的现象。当磁场作用于半导体材料，电子和空穴会受到洛伦兹力的影响，分别向不同方向移动，形成电荷的分离。随着电荷的分离，会在半导体材料中产生电场，这种电场力与洛伦兹力达到平衡后，电子和空穴不再继续聚集。
霍尔电压的极性和电流的方向和磁场的方向互相垂直。
霍尔电压产生原理是指在磁场作用下，通过霍尔元件产生的电势差，即霍尔电压的产生机制。霍尔电压是指当电流通过一块薄片时，垂直于电流方向施加一个磁场，会在薄片两侧产生一个电压差。霍尔电压产生原理是基于霍尔效应的。
电位差：电荷的偏移导致了材料中的正电荷区域和负电荷区域。由于正电荷区域和负电荷区域之间存在电场，因此会产生电势差，即霍尔电压。霍尔电压可以用以下公式表示：VH = B * I * RH 其中，VH是霍尔电压，B是磁场强度，I是电流强度，RH是霍尔系数。
按照目前已有的认知，洛伦兹力是电磁学中安培力的微观表现，所以由洛伦兹力导致的霍尔电势，可以用左手定则进行判定。可以这样理解：通电导线处于磁场中时，使导线运动的力，在霍尔元件中没有推动元件，而是直接将载流子推向元件的特定表面，从而形成霍尔电势。
霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生的。
霍尔电压公式是什么?
1、霍尔电压E=KIB，K为灵敏度系数，I为工作电流，B为与霍尔片及I垂直的磁感应强度的分量。也就是说，霍尔电压与电流及磁感应强度的乘积成正比。工作电流为交变电流时，如果外磁场是恒定磁场，霍尔电压为与工作电流同频率的电压信号。
2、霍尔电压公式推导是设载流子的电荷量为q，沿电流方向定向运动的平均速率为v，单位体积内自由移动的载流子数为n，垂直电流方向导体板的横向宽度为a，则电流的微观表达式为I=nqadv。霍尔电压即霍尔效应产生的电压（电势差）。
3、测量霍尔电压的原理公式：fe=S+v2。霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。电磁，物理概念之一，是物质所表现的电性和磁性的统称。如电磁感应、电磁波等等。电磁是丹麦科学家奥斯特发现的。
4、霍尔系数计算公式：Rh=Uhd/IsB，Uh：霍尔电压，标准单位（知SI）是：伏特，符号：V；d：霍尔样品沿着磁场的尺寸，标准单位（SI）是：米，符号：m；Is：通过霍尔样品的电流，标准单位（SI）是：安培，符号：A；B：外磁场，标准单位（SI）是：特斯拉，符号：T。
5、霍尔元件公式U=IB/nqd 霍尔元件结构是由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×0.1mm），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。
6、依据霍尔效应原理，霍尔电压的计算公式如下：UH=KHISB 其中，KH为霍尔元件的灵敏度，UH为霍尔电势差，IS为霍尔元件的激励电流，B为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。对于固定的霍尔元件，KH一般为常数。因此，只要激励电流IS稳定，霍尔元件摆放位置处的磁感应强度B稳定，就可形成稳定的霍尔电压。
霍尔电压传感器与霍尔电流传感器有什么区别?
综上所述，霍尔电压传感器与霍尔电流传感器的主要区别在于原边电流的传输方式。霍尔电压传感器通过具有大电阻的多圈绕组传输电流，而霍尔电流传感器则通过单一通过磁芯的导线传输电流。
霍尔电压传感器是一种特殊的原边多匝的霍尔电流传感器。霍尔效应是电磁效应的一种，指当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差。利用这一原理制作的各种用途的传感器称为 霍尔xx传感器（xx 指用途）。
区别就是一个内部是电压表，另外一个内部是电流表，其实内部的表头都是电流表，只不过电压表的表头串联了一个电阻，而电流表是表头并联去一个电阻。
霍尔电压是如何产生的
1、霍尔电压是如何产生的如下：霍尔电压产生原理是指在磁场作用下，通过霍尔元件产生的电势差，即霍尔电压的产生机制。霍尔电压是指当电流通过一块薄片时，垂直于电流方向施加一个磁场，会在薄片两侧产生一个电压差。霍尔电压产生原理是基于霍尔效应的。
2、霍尔电压是指在有磁场作用下，电流通过一个材料时所产生的电势差。这个现象被称为“霍尔效应”，是美国物理学家汉恩斯·克里斯蒂安·奥斯特瓦尔德·霍尔于1879年发现的。霍尔效应的原理可以通过以下步骤来理解： 磁场作用：首先，需要在材料的上下表面之间施加一个垂直于电流方向的磁场。
3、霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生的。
4、霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场时产生的现象。当磁场作用于半导体材料，电子和空穴会受到洛伦兹力的影响，分别向不同方向移动，形成电荷的分离。随着电荷的分离，会在半导体材料中产生电场，这种电场力与洛伦兹力达到平衡后，电子和空穴不再继续聚集。
5、霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：激励电流I。与激励电流垂直的磁感应强度分量B。器件材料（决定灵明度系数K）。霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关，两者方向相反。设霍尔电势为EH 则：EH=KIB 注：B为与电流垂直的磁感应强度分量。
6、霍尔电压即霍尔效应产生的电压（电势差）。而霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
霍尔电压是怎么回事?
1、霍尔电压的极性和电流的方向和磁场的方向互相垂直。霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
2、霍尔电压即霍尔效应产生的电压（电势差）。而霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。
3、霍尔电压是指在有磁场作用下，电流通过一个材料时所产生的电势差。这个现象被称为“霍尔效应”，是美国物理学家汉恩斯·克里斯蒂安·奥斯特瓦尔德·霍尔于1879年发现的。霍尔效应的原理可以通过以下步骤来理解： 磁场作用：首先，需要在材料的上下表面之间施加一个垂直于电流方向的磁场。
4、霍尔电压是在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生的。
