mos阈值电压公式（mos阈值电压定义）
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MOSFET中跨导的计算问题
1、MOSFET跨导的计算公式为g_m = ΔI_D / ΔV_GS，其中g_m代表跨导，ΔI_D代表漏极电流变化量，ΔV_GS代表栅源电压变化量。解释：MOSFET的跨导是衡量其性能的一个重要参数。跨导描述了当栅源电压变化时，漏极电流随之变化的能力。计算跨导的公式为g_m = ΔI_D / ΔV_GS。
2、在MOSFET中，计算跨导（g）主要通过偏导数方法进行。首先，需要确定MOSFET的工作区域。若Vds小于Vgs减去阈值电压Vt（case1，线性区），跨导g可以表示为：g = u*Cox*（W/L） * [（Vgs-Vt）*Vds - 0.5（Vds^2）]，其中u是迁移率，Cox是单位栅电容，W和L是MOSFET的宽度和长度。
3、在饱和区内，选择一个输入电压（V（DS）对应的输出电流（I（D）：这个输入电压和输出电流的组合代表了MOSFET的跨导。通常情况下，我们选择最大的输出电流对应的输入电压来确定跨导。根据转移曲线上的数据，计算跨导：跨导等于输出电流除以输入电压。即gm=I（D）/V（DS）。
4、通过跨导的定义，对公式1进行求导，得到公式2。通过替换公式中的晶体管尺寸W/L和过驱动电压Vgs-Vth，得到公式3和公式4。这三式皆可求得跨导gm，它们之间的应用取决于电路设计阶段。在设计初期，常使用公式2，通过调整过驱动电压Vgs-Vth来优化漏端电流Id和跨导gm。
5、一般是利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。
6、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值，记为R。
mos管的电阻公式
Ron=1/[β（Vgs-VT）]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β（Vgs-VT）]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|（Vds很小） = 1/[β（Vgs-VT）] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。第三个式子是从第二个推导出来的。整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=（VCC-2V）/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。
mos管栅源极阈值电压什么意思
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
在MOS管中，阈值电压定义为背栅和源极连接形成沟道所需的栅极对源极的偏置电压。如果这个电压小于阈值电压，沟道无法形成，因此MOS管无法导通。而对于晶体管放大电路，偏置电压则是确保其在放大状态下的必要条件。直流偏置电压是指在基极-射极正偏和集电极-基极反偏的情况下，晶体管进入放大工作的电压设置。
MOS管的阈值电压，即backgate和source形成channel所需的gate对source偏置电压，是一个关键参数。当偏置电压小于阈值电压时，channel无法形成。晶体管的阈值电压受多种因素影响，包括backgate的掺杂、电介质厚度、gate材质以及电介质中的过剩电荷。backgate掺杂是阈值电压的主要决定因素。
