vbe电压（vbe电压温度系数）

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求三极管各极电压计算公式

下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

Ib=（Ub-0.7）/Rb，而集电极电流等于（β*Ib），Uc=（β*Ib）*Rc+Uce Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。这个参数的意思是：当三极管的基极开路的时候，加在三极管上的反向电压超过Uceo这个值时，三极管损坏。

vbe是什么意思物理?

1、在物理领域中，VBE是一个常见的术语，它代表了二极管（晶体管）的基本电压。VBE在电子学中非常重要，因为它可用于确定电路元件间电流的大小。同时，VBE也与晶体管的放大倍数有关，因此被广泛应用于电子电路设计和制造领域。

2、闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压（Thermalvoltage）。也称为温度的电压当量。电学中常用的热电压VT＝kT／q，具有正的温度系数。而三极管的BE结电压VBE具有负的温度系数，二者的平衡可以产生一个在某一温度下温度系数为零的基准电压。

3、从原理上讲，这是一个固体物理和半导体物理的问题，至少需要学习一下半导体物理才能真正理解。

4、基极与发射极之间的电压VBE，我们把它等效为一个二极管，导通电压为0、6~0、7V，并且需要从外部提供相应的电压VBIAS。当交流（信号）电压源变化时，基极电阻RB上基极电流IB（A）发生变化，从而引起集电极电流IC（A）也发生变化。IC=hFE*IB 这是电流“控制”的关系式。

5、三极管能否导通，不是看基极电压是几V，而是基极和发射极之间的压差，也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键：发射结正偏，集电结反偏。基极：基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。

vbe是基极电压吗?还是基极电压减去发射极电压?还是管压降?哪位朋友告诉...

Vbe是基极与发射极之间的电压（差），即基极电压减去发射极电压。

基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

基极电压（Vbe）：当基极与发射极之间存在电压时（通常称为偏置电压），会使得电流从基极向发射极流动，此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。发射极电压（Vce）：当集电极与发射极之间的电压为正时，发射极与基极之间的电流会流动，并逐渐增大使得Vce的值会降低。

Vbe是三极管基极－发射极偏置电压，这个电压等于零，可能是偏置电阻开路，或是基极－发射极击穿短路了。拆下三极管测量空位电压，如果电压正常就是管子击穿坏了，如果电压仍为零就是电阻开路。

* Vbe表示基极和发射极之间的电压降对输出电压的影响。 共射极放大电路是一种常用的放大电路，可以将输入信号放大到较大的幅度。通过合理选择电阻值和输入电压，可以计算得出输出电压的数值。此外，还可以进一步研究共射极放大电路的频率响应、输入输出阻抗等特性，以及优化电路设计，提高放大效果。

那三极管Vbe的变化到底是怎样啊

1、放大电路中，三极管VBE是变化的。当三极管处于饱和状态的时候VBE是固定的，但是Ib是可以变化的。静态时，电路中只有直流电源VCC作用，三极管各极电流和极间电压都是直流值，电容CC2相当于开路，该电路称为直流通路。

2、由于材料的特性和制造工艺的差异，半导体三极管的直流放大系数β并不是一条直线，也就是说，随着基极电流的变化，β也有少量变化，尤其在Ib较小时，β也较小，因此，设置三极管的工作点时一般都安排在β曲线的较平坦的区域，这样的区域就是说明书中提供β的直流测试参数。

3、NPN（饱和）：Vbe=0.7V，Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）：Veb=0.3V，Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。

4、Vbe增大，Ib增大，由于三极管有电流放大能力，所以IC增大，这个你应该知道。所以在负载电阻RC上的压降就变大了。所以电源电压减去RC两端的电压就变小了。Uc=VCC-RC*IC.所以UC就变小了。Ue=RE*IC.，所以Ue变大。

基本晶体管正常工作时各极电压是怎样变化的?

1、当基本晶体管正常工作时，各极电压会发生如下变化：基极电压（Vbe）：当基极与发射极之间存在电压时（通常称为偏置电压），会使得电流从基极向发射极流动，此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。

2、在放大状态下，基极与发射极之间的电压通常维持在约0.7伏特，这是一个相对稳定的值，称为PN结的正向导通电压。这个电压是使基极电流开始流动的最小电压，也是晶体管开始工作的门槛。集电极与发射极之间的电压则根据晶体管的工作状态和外部电路条件而变化。

3、首先纠正你的说法：“当Ib增大时，Ue就减小.Ib减小，Ue增大”，不是Ue，而是Uce。是集电极到发射极的电压。你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc，这种关系才成立。Rc两端电压表示为URc，因为Uce+URc=Ucc，Ucc是电源电压。

4、在正常工作条件下，硅晶体管的发射结正偏，集电结反偏。 当基极电压高于发射机电压0.7V时，发射结处于正偏，而集电极电压低于基极，导致集电结也处于正偏状态。因此，图1中的三极管工作在饱和状态。 如果发射结反偏，则三极管处于截止状态，如图2所示。

5、集电极与发射极之间的电压变得非常低。这种情况下，三极管失去了电流放大作用，集电极与发射极之间的关系类似于开关的导通状态，我们称其为饱和导通状态。在电子维修过程中，通过测量三极管各脚的电压，电子维修人员能够准确判断三极管的工作状态，这是他们判断和诊断电路问题的重要依据。

6、晶体管存在三种基本工作状态：截至、放大和饱和工作状态。 在截至状态中，三极管的基极电压不足以开启集电极和发射极之间的电流通道。 饱和工作状态则发生在基极电压过高的情况下，导致无论基极电压如何变化，集电极和发射极之间的电流都维持在最大值。

三极管中vbevce是什么意思

vbe为基级与发射级间电压；vce为发射级与集电极间电压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

NPN管： vC电位最高， vE电位最低；vBE：硅管0.7V，锗管0.2/0.3V PNP管： vC电位最低， vE电位最高；vBE：硅管－0.7V，锗管－0.2/ － 0.3V 2） 饱和状态： vBE：导通电压（0.7V），vCE：零点几伏（0.3V）；3） 截止状态： vBE：小于导通电压，vCE：几伏～几十伏。

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