负源漏电压（负载漏电怎么解决）
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MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
1、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
3、低阀值的适合低电压PWM驱动，比如5V左右的。
4、在开关电路中，这一过程可以分为几个阶段：在Vgs小于阈值电压时，MOS管处于截止区，漏极电流为零；随着Vgs逐渐增加至阈值电压，电流开始增长，MOS管进入导通区；当电流达到最大值后，MOS管进入米勒平台，Vgs电压不再改变，直至漏源电压Vds开始下降，进入可变电阻区。
5、当晶体管漏电流Id确定时，公式3和公式4提示，随着晶体管尺寸W/L的增加，过驱动电压Vgs-Vth的减小，跨导gm随之增大。工艺文件中提到的几种阈值电压包括Vth_lin、Vth_sat和Vth_gm。Vth_lin是晶体管线性区的阈值电压，表示晶体管开始导通时的栅电压。
6、开关特性，包括开启时间和关闭时间，也是决定MOSFET性能的关键因素。快速开关可减少功耗和电磁干扰（EMI），在高频应用中尤为重要。此外，MOSFET的阈值电压（Vth）也应根据应用要求来考虑，以确保在工作电压范围内能有效导通。在选择MOSFET时，可能需要在不同的参数之间进行权衡。
mos管的三个极
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的三个电极通常标记为G、S和D，分别代表栅极、源极和漏极。 G（Gate，栅极）：栅极是MOSFET的控制端。通过向栅极施加电压，可以控制MOSFET导通或截止。当栅极电压较高时，MOSFET导通；当栅极电压较低时，MOSFET截止。
MOS管的三个极是源极、漏极和基极。源极 源极是MOS管中电流流出的一个电极。在N沟道MOS管中，源极与P型衬底相连，含有大量的电子；而在P沟道MOS管中，源极与N型衬底相连，含有大量的空穴。源极的电流流向取决于MOS管的偏置状态和工作模式。漏极 漏极是MOS管中电流流入的电极。
MOS管的G、S、D分别代表栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain），这是MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的三个基本引脚。栅极（G）：是MOS管的控制端，通过改变栅极上的电压，可以控制源极和漏极之间的电流。
栅极、源极、漏极是场效应晶体管中的三个重要电极。解释如下：栅极 栅极是场效应晶体管控制电流的主要电极。在MOS管中，通过施加电压在栅极上，可以控制源极和漏极之间的通道，从而控制电流的流动。简单来说，栅极就像是一个开关，调节电流的开关。源极 源极是场效应晶体管中电流流出的电极。
pmos电压
1、PMOS管的源极电压总是高于漏极电压，这一特性与NMOS管截然不同。NMOS管的源极电压通常低于漏极电压，这是由于两者在半导体器件中的工作原理存在显著差异。PMOS管是一种在P型半导体材料上形成的MOS场效应晶体管。
2、PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路 。
3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
4、H桥通常是由P-Mos管和N-Mos管组合而成的。为了确保P-Mos管的安全运行，如果栅源电压可能超过20V，可以在栅源之间并联一个稳压二极管来钳制电压，防止过高。同样地，对于N-Mos管来说，如果其栅源电压也可能超出安全范围，也应采取类似的方法来保护管子。
