pn结雪崩击穿电压（pn结雪崩击穿电压一般是多少）
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为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?
齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成电子一空穴对，从而产生大量的载流子。
这个过程称为场致激发。随着温度的升高，被束缚在共价键上的价电子具有较高的能量状态，因而，在电场作用下，比较容易挣脱共价键的束缚，产生自由电子—空穴对，形成场致激发。所以齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。
当掺杂浓度较低时，PN结空间电荷区宽度较宽，电子在电场的作用下获得的能量较大，足以克服共价键的束缚而成为自由电子。这种情况下，碰撞电离的机会较多，容易发生雪崩击穿。综上所述，雪崩击穿与掺杂浓度的关系是：掺杂浓度越低，越容易发生雪崩击穿。
齐纳击穿：在掺杂浓度高的PN结中，由于阻挡层薄，电场较强，可以直接从共价键中释放价电子，形成新的电子-空穴对，称为场致激发。齐纳击穿的电压通常低于6V，而雪崩击穿则在6V以上。
产生新自由电子-空穴对，并在电场作用下不断碰撞电离，形成载流子雪崩倍增，导致电流突增。击穿电压较高，从几伏到几千伏不等。两者差异在于发生机制及所需电压，禁带宽度较大的半导体材料在雪崩击穿中需要更高的电压。此外，PN结中电场峰值随掺杂浓度升高而增大，导致反向击穿电压降低。
雪崩击穿电压是什么?
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
一般对于硅材料的PN结，6V电压以上以雪崩击穿为主，6V以下以齐纳击穿为主；电压很高几乎就是雪崩击穿，电压很低就是齐纳击穿。相同之处是：电压低于击穿点时通过PN结的电流很小，电压超过击穿点后，通过PN结的电流急剧增大，若外部电路不加限制，将使PN结很快烧毁。
二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?
1、在实际应用中，PN结的反向击穿通常同时包含齐纳击穿和雪崩击穿两种形式。但在不同电压范围内，两种击穿形式占据主导地位。具体而言，在低于5至6伏特的电压下，齐纳击穿为主要形式，此时稳压管的稳压值具有负的温度系数。而在电压超过5至6伏特的情况下，雪崩击穿成为主要形式，这使得稳压管的温度系数变为正。
2、雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！的PN结才做得到。
3、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
4、【答案】：当加于二极管两端反向电压增大到一定值时，二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。反向击穿后，反向电压很小的变化就会产生很大的电流变化，而且有恒压特性，若此时反向电流不加限制，就会因管耗过大而损坏。
5、PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
6、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。
问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。
性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。
齐纳击穿和雪崩击穿的主要区别在于它们发生的位置、机理以及特点。首先，从发生位置上看，齐纳击穿主要发生在低电场强度下，特别是在掺杂浓度较高的PN结中，由于阻挡层较薄，只需较小的反向电压就能引发强电场，进而发生击穿。
答案概述：齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
雪崩和齐纳击穿有什么用
1、雪崩击穿和齐纳击穿的作用：雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
2、对于稳压管的使用，齐纳击穿适用于电压较低的场合，而雪崩击穿则在电压较高的情况下更为适用。在保护电路中，TVS稳压管主要用于提供瞬时电流的低电阻路径，避免过电流对器件造成损害。然而，关于可恢复性，齐纳击穿与雪崩击穿均有可能恢复，认为其不可恢复的观点是不正确的。
3、齐纳击穿和雪崩击穿是电子器件中的两种击穿模式，它们的主要区别在于触发机制和表现特征。齐纳击穿通常发生在反向电压下的二极管中，是热击穿的一种形式。而雪崩击穿则出现在高电场强度下的半导体器件中，涉及到载流子的倍增效应。 齐纳击穿：齐纳击穿是发生在PN结的一种热击穿现象。
4、因此，齐纳击穿和雪崩击穿在不同条件下表现不同，对半导体器件的稳定性及性能具有重要影响。理解这两种击穿机制有助于设计更可靠、性能更好的电子设备。
5、PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
