三极管门电压的简单介绍

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三极管作为开关运用的时候,各个极的电位是如何的?

三极管在饱和导通（有一定电阻）只是模拟开关，三极管发射极接低电位，集电极与器件（继电器或发光二极管等）串联接高电位，在基极加入一定电流，发射极与集电极导通，集电极串联的器件就得电工作。基极没电流通过时就截止，发射极与集电极电阻很大。

三极管在截止状态（发射结、集电结都是反偏置）时，其CE极间的电流极小（硅管基本上量不到），相当于“断开（即‘关’）”的状态。

要在开关状态下，必需输入5V以上为高电平。PNP三极管截止，此时为关状态，指示灯灭。输入4V一下为低电平，PNP三极管饱和导通，此时为开状态，指示灯亮。PNP型三极管发射极电位最高，集电极电位最低，UBE0。

NPN：集极接负载时：万用表DC（V）档，黑笔接E极，红笔接B极=0.7V，红笔接C极=0.2-0.3V，说明三极管处于饱和导通（开）状态。B极=0V、C极=电源电压，三极管关闭 射极接负载时；无论开与关，C极都=电源电压，E极=0V---关；E极=电源电压（实际应-0.2-0.3V）---开。

三极管的理想稳态开关特性 图（a）中三极管为NPN型硅管。电阻Rb为基极电阻，电阻Rc为集电极电阻，晶体三极管T的基极b起控制的作用，通过它来控制开关开闭动作，集电极c及发射极e形成开关两个端点，由b极来控制其开闭，c.e两端的电压即为开关电路的输出电压vO。

三极管门电压是什么,怎么是0.5V,不是0.7V吗

1、锗管03V，硅管0.7V。当偏置电流增大时，电压会有所增加。

2、.7是临界值，小于0.7三极管不能完全处于截至状态（有的反偏电压更低）。

3、因为小功率三极管大多在mA工作点下应用，所以近似取0.7V而已。

三极管Ube是什么?

Ube是三极基极（b）射极（e）间的电压，也就基射间导通的门限电压。硅材料大约是0·7V。

Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。

这是三极管中的参数，U是电压，ce表示这是c与e间的电压。同理，Ube就是b与e之间的电压。一般情况下，C表示三极管的集电极，E表示三极管的发射极，B是表示三极管的基极。

首先要强调一个问题：三极管工作电压Ube是指PN结电压大于导体电压，如npn的Ube0.65左右；而PNP的Ube-0.65； 这样才能导通工作；第二个问题：关于UBE是否可以超过导通电压。答案是完全可以超过导通电压。

Ube表示基极发射极之间的电压，UbeQ其实和Ube的含义一样，不同之处在于UbeQ是饱和的基极发射极电压，一般为0.7v。Ib是基极电流，Ib是饱和的基极电流，Ic是集电电流，Uce表示集电极发射极之间的电压，Uc是集电极电压，Uo是输出电压，Ui是输入电压，UceQ是集电极发射极之间的饱和压降，比较小可以忽略不计。

为什么三极管的eb击穿电压比cb击穿电压小

三极管的eb击穿电压比cb击穿是三极管的eb产生压降小于cb。三极管的击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象。e是发射极。b是基极。c是集电极。一般pnp型三极管，e接电源正极，b、c接电源负极。npn型管子电源正负正好相反。三极管e和b电压的差距在75v以上。

首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。所以整个来看就有BVcboBVceoBVebo。

IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V（BR）CEO要比V（BR）CBO小 即V（BR）CEOV（BR）CBO。（3） V（BR）CER和V（BR）CES--b-e极之间接电阻（R） 和短路（S） 时的V（BR）CE。在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。

三极管be间最大电压如何定

1、硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。

2、首先“听说vbe之间所加的电压最高不能超过1伏”这种说法不对。

3、准确一点应该说是调节BE结的偏置电流。BE节的电压基本维持在0.7伏（硅），变化很小的。B极一般都会连接两个电阻串联的偏置电路，调节其中一个（一般是B极接地的那个）电阻。

4、第一步，确定Ic的工作电流大小。根据β反推Ib电流。然后根据Ib电流，用外电路根据Ube-I被设置be二极管的压降。比如，我要Ic工作在10ma，反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。发现Ib=0.1mA时，Ube是0.65V。Ok，外电路用个电阻分压，给它刚好0.65V。

5、V．那么0.7V-0.3V=0.4V（Vcb），B极电压比C极电压高0.4V这没错。只是教科书将CB间的电压说成是BC间的电压，容易让人误解。如果写书的人一定要将Veb说成Vbe、将Vec说成Vce、将Vcb说成Vbc，那么就应这样表达BE=- 0.7V ；BC=-0.4V；CE=-0.3V。

6、①、向这硅三极管BE极的导通电压在0.6V~0.7V之间即可导通工作，不是说非得大于0.7V才能导通的。

三极管BE间压降为0.7V左右,为什么有加大BE电压可以增大电流,BE电压不...

二极管U-I曲线看到了吗？一个U对应一个I。BE电压不是固定的。BE是个可变电阻。从设计电路的角度。第一步，确定Ic的工作电流大小。根据β反推Ib电流。然后根据Ib电流，用外电路根据Ube-I被设置be二极管的压降。比如，我要Ic工作在10ma，反推Ib=10/β=0.1ma。查三极管的BE二极管曲线。

硅三极管BE间的门槛电压是0.7v，锗三极管BE间的门槛电压是0.2v，而由外电路加在BE间的电压可以是动态变化的电压，当外加电压小于门槛电压值时，BE是关断的没有电流。当外加电压大于门槛电时，BE开通，有电流流过，所加电压越高，电流越大，此时BE间呈现低阻状态，BE间电压只是微高于门槛电压。

高于0.7伏，这是一个条件，不然的话，三极管始终工作在死区状态，还有一个条件就是发射结正偏，集电结反偏，这样才能保证三极管工作在放大区。在工作当中，外接电源一般都是直流电源或直流电源与电流电源的结合，保证工作电压大于0.7伏。

加入小信号后三极管BE的两端电压仍为0.7V左右。这是由PN结的特性所决定的：PN结导通后的电流可以变化很大，但它的压降却变化极小。事实上，三极管作为一个电流放大器件，基极小信号的加入（交流或直流），只是影响了基极电流的大小，从而影响三极管集电极电流的大幅变化。

一般情况下，三极管be 之间的压降是0.7V（对硅管来说，或者对硅二级管来说），但是这个压降对三极管来说不是管压降。我们说的三极管的管压降，主要是指ce 之间的压降。另外，Uceq是管导通起始压降，而Ucesat是三极管饱和时的压降。

一般电压是加到CE结上的。BE结上的电压大小决定三极管的工作方式，一般反偏处于振荡，正偏小于0.7V处于放大，大于0.7V处于饱合导通。第二个问题 ， 这么连接首先就是不对，因为二极管的压降是0.7V左右。它的内阻是很小的，一般看做是导能的。这么连接相当于电源短路。

关键词：三极管门电压