vds电压（VDS电压降低后又升高的原因）
本文目录一览：
- 1、正激式变换器中漏极电压(VDS)最大多少?
- 2、关于场效应管vgs和vds电压的问题
- 3、测量sicmosfet的漏极电压vds又什么用?
- 4、元器件vds是什么意思?
- 5、mos管vds电压怎么计算
正激式变换器中漏极电压(VDS)最大多少?
1、对于双端正激电路，因为电路结构的箝位设计，VDS理论上的就是等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。
2、**耐压参数VDS**：VDS，即源极至漏极电压，也常称作击穿电压或耐压，是MOSFET的重要参数之一。在Tj=25℃时，只要MOSFET上电压不超过600V，理论上能确保MOSFET安全工作。然而，实际上，VDS参数是温度敏感的，随着温度的升高，MOSFET的耐压值会减小。
3、MOS管栅极最高电压：以一个工作于直流线电压为160V（最大可为186V ）电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断，它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来，由Crss和Ciss分压。
4、IR1176适用于输出电压在5V以下的大电流DC／DC变换器中的同步整流器，能大大简化并改善宽带网服务器中隔离式DC／DC变换器的设计。IR1176配上IRF7822型功率MOSFET，可提高变换器的效率。当输入电压为＋48V，输出为＋8V、40A时，DC／DC变换器的效率可达86％，输出为5V时的效率仍可达到85％。
关于场效应管vgs和vds电压的问题
答案：场效应管中，VGS代表栅极-源极电压，而VDS代表漏极-源极电压。这两个电压对于场效应管的工作至关重要。详细解释： 场效应管基本概念：场效应管是一种电压控制器件，通过控制栅极电压来调控源极与漏极之间的电流。其核心原理在于利用外部电压在半导体材料内部形成电场，从而影响载流子的运动。
是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。并且Vsd越高，Isd也就越高。
测量sicmosfet的漏极电压vds又什么用?
SiC MOSFET的最大漏-源极电压（VDSS）定义了器件允许的最大电压值。实际应用中，漏极电压（VDS）必须低于此额定值，否则可能导致器件失效。在功率回路中，由于回路中杂散电感的存在，在器件开关过程中，电流的变化（di/dt）会在这些杂散电感上感应出电压，叠加在SiC MOSFET的漏-源极电压上，形成电压尖峰。
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。
描述MOSFET性能的输出曲线以VGS为参考，显示漏极电流ID与漏源电压VDS的关系；转移曲线则以VDS为参考，表示漏极电流ID与栅源电压VGS的关联。Vdss为漏源击穿电压，表示正常工作时能承受的最大电压；Vgss为栅源击穿电压，表示在Vds为0时能承受的最大电压。
元器件vds是什么意思?
元器件VDS是指MOSFET场效应晶体管的源极漏极之间的最大电压额定值。MOSFET场效应晶体管是在低压下运行的开关电路常用的器件，控制电荷流动，其VDS是指它的工作电压范围，或者说它的最大耐压值。元器件VDS的重要性在于其对电路设计的依赖性。
栅源电压（VGS）和栅源阈值电压（VGS（th）不同，VGS指的是MOS管在实际运行时可以处理的最大电压，而VGS（th）是MOS管开始导通所需的最小电压。漏源电压（VDS）或漏源击穿电压（V（BR）DSS）是指MOS管在关断状态下可以处理的最大电压。
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mos管vds电压怎么计算
1、区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个 vds ，这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
2、UGD=UGS-UDS，这是定义，没有什么好说的。第三个式子是从第二个推导出来的。整个公式其实是从实验获得，你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了。具体过程是这样的。
3、Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。
4、过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。
5、在电子器件中，MOS管的Vdsat和Vov是两个关键参数，分别代表了不同的工作状态。Vdsat，即饱和漏源电压，当MOS管进入刚性状态或即将关闭时，漏源电压达到这个值。
6、沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被强行拉过耗尽区进入漏极，使得额外的Vds电压全部落在夹断区的耗尽层上，电流不再随Vds增加。
